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关于中国半导体产业发展机会的分析报告.pdf
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更新于2023-05-29
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中国半导体产业将进入产业大发展的战略机遇期,报告中着重分析了高亮LED产业、太阳能电池产业、IGBT产业、光通信芯片产业等四个
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中国半导体产业面临发展机会
技术和产业组
中国半导体产业将进入产业大发展的战略机遇期,本文着重对中国太阳能电池、IGBT、高亮
LED、光通信芯片等四个产业做了机会分析。
(一) 太阳能电池产业
中国太阳能电池产业近年来高速发展,承担了全球近一半的产能。太阳能产业多晶硅原料供
给过度依赖海外的矛盾近两年得到一定程度的逐渐缓解。然而,由于产品主要销往欧洲国家,
全球金融危机之后的市场萎缩成为制约中国太阳能电池发展的一大瓶颈。
中国政府近期出台的一系列相关政策助推太阳能产业的井喷发展。目前硅片电池仍是太阳能
电池的主流,约占市场份额的 90%,而薄膜电池市场潜力巨大,受到投资者热捧。多晶硅的
提纯技术以及非晶硅薄膜电池的技术突破将成为未来市场的热点。
(二) IGBT 产业
IGBT 作为功率器件技术演变的最新产品,是未来功率器件的主流发展方向。近几年,变频
家电市场的爆发性增长、变频器节能地位的凸显以及高速列车市场的蓬勃兴起,推动了中国
IGBT 市场快速成长。而新能源产业和大规模智能电网的实施,将推动 IGBT 市场进一步成长。
2009 及 2010 年,国家政府出台相关文件加大了对 IGBT 的扶持。总的来看,IGBT 市场在未
来发展前景非常乐观。
目前,中国 IGBT 产业链已初具规模,且国内企业在多晶硅技术、IGBT 制造技术、高端
封装技术等多个技术上实现创新突破。随着中国工业化进程加快,未来对 IGBT 等半导体器
件的需求将保持快速增长,中国企业晋身成为世界领先的功率半导体器件供应商指日可待。
目前是投资中国 IGBT 模块行业最佳时机,半导体厂商应积极与家电等应用厂商建立紧密合作
关系,与之一起分享市场增长。
(三) 高亮 LED 产业
高亮 LED 已经成为中国 LED 市场的主流。然而目前中国 LED 产业下游企业多而分散,而上
游芯片,特别是衬底和外延生产和技术能力不足,制约了产业的发展。国内企业产品的发光
效率与国际水平相比还有一定差距。中国希望通过开发 Si 和 GaN 衬底的功率型 GaN 基 LED,
以及自主专利的荧光粉材料等,减少国外专利的限制。
未来产业内的并购整合以及产业链上企业合作将增多。大量的外延和芯片企业扩产使得衬底
供不应求,LED 衬底是下一个投资热点。高亮 LED 在新行业的应用要求企业与下游灯具、汽
车等厂商展开合作。各类大型活动和公共设施是高亮 LED 应用的重要领域,也是品牌推广的
良机。
(四) 光通信芯片产业

受移动互联网、三网融合等新型应用对于带宽需求推动,中国光通信市场开始进入高速成长
期。由于中国光通信网络投资额高、建设规模大、建设计划明确,未来将持续快速增长。光
通信市场需求高涨也带来了对上游芯片产品的需求。
我们发现,在全球光通信市场快速增长的情况下,中国光通信系统设备企业、光器件制造商
在全球的地位都快速提升,然而对于处于技术核心的芯片产品,整体上仍高度依赖进口。随
着系统设备企业和光器件制造商的逐渐壮大,一些实力较强的企业将加速向上游芯片领域的
突破。
中国半导体产业面临发展机会
中国半导体产业将进入产业大发展的战略机遇期。全球半导体产业步入产业转移期,发达国
家向高端产业链转移。同时,全球半导体业实施轻晶圆厂(Fab-lite)策略,将芯片制造向新兴
国家转移。 Motorola 将全球 28 个 Fab 缩减至 9 个,仅保留有优势的 Fab。中国半导体产
业人才、技术、市场、资金条件不断成熟,具备迎接全球半导体产业转移的客观条件。
中国半导体设计、制造、封测同步发展,结构日趋合理,产业链逐步完善。封测业曾经一度
占到中国半导体产业产值的 70%以上。近年来,设计和制造业快速发展,封测相对发展缓慢,
三足鼎立局面形成。半导体产业垂直分工日益细化促使产业链各环节之间合作意愿加强。全
球第三大芯片代工厂中芯国际表示愿为国内中小型 IC 设计公司提供服务。IC 设计、制造和
封测业的创新能力不断加强。
半导体 IC(Integrated Circuit)设计产业活跃发展。中国半导体 IC 设计能力整体提升。以市
场为导向,按照消费者的需求进行产品创新。IC 设计已经在多媒体播放器、数字电视、FM、
蓝牙、USB 等领域取得突破。未来 2~3 年,IC 设计将在智能手机、3G、互联网多媒体终端
等进行创新。立足本土市场的同时,中国的 IC 设计积极寻求海外发展机会。IC 设计企业正
酝酿登陆国内外资本市场,吸引更多的风险投资与高端人才。泰景、锐迪科、格科微、杭州
国芯等准备登陆创业板或 NASDAQ。IC 加快行业整合重组,提高了市场反应速度和风险抵御
能力。
中国半导体封装测试企业快速成长。封测业务外包已成为国际 IC 大厂的必然选择,全球封
测业务向中国转移加速。从 2007 年至今已有 10 多家 IDM 企业的封测工厂关闭。中国封测
在技术上开始向国际先进水平靠拢。本土封装企业快速成长。江阴长电、南通富士通、天水
华天等实力较强的公司已成功上市。
半导体设备和材料的研发水平和生产能力不断增强。半导体设备制造业的发展得益于半导体
产业的升级加速。本土企业半导体制造设备的研发水平提高,表现不俗。格兰达自主研发的
全自动晶圆检测机已于 2008 年实现上市销售。北方微电子研制出 100 纳米等离子刻蚀机、
LED 的刻蚀机,获得多家客户认证。加大对更高技术要求的半导体制造设备的研发将成为未
来发展趋势。
国内市场需求旺盛,半导体市场前景广阔。受 PC、手机的快速增长的利好,2010 年全球半
导体市场预计增长 10.2%。国内 PC、手机、消费电子产品产能的扩大也有力的推动半导体产

业的发展。09 年中国手机产量 6.1 亿部,占全球的 50%;PC 产量 1.8 亿台,占 60%;彩电
产量 9900 万台,占 50%。中国半导体产业 2010 年第一季度实现销售收入 297.77 亿元,同
比增长 46.8%。物联网、低碳、智能电网、光伏产业等新兴产业迅速崛起,将使半导体产业
受益。新兴产业会使用大量的集成电路或半导体分立器件,例如 LCD 和 LED 的驱动电路、
太阳能电池的逆变器。越来越多的企业 IT 部门购买和升级通讯设备需求也会带来机会。
国内相关政策的出台,为中国半导体产业提供了便利和激励。一直以来,国家在税收、资金、
土地、基础设施等政策方面的支持力度很大。“核高基”专项与“02”专项已经开始实施,
第一批专项资金已发放。国家曾以财政补贴方式推广半导体照明产品 1.5 亿只。新的《鼓励
软件产业和集成电路产业发展的若干政策》将在 2010 年年内出台。与“18 号文件”相比,
新政策加大了扶持力度,扩展了覆盖范围。家电下乡、家电以旧换新、汽车下乡等经济刺激
政策扩大对半导体产品需求。2009 年颁布的《电子信息产业调整和振兴规划》为半导体产
业带来新的希望。
看好中国半导体市场前景,外资纷纷涌入本土市场。有利于缩短在技术方面与发达国家之间
的差距,建成一流的制造企业。可以带来充足资金,减少企业、当地政府的财政负担。不久
前,摩根士丹利参与中芯国际配股,成为中芯第四大股东。
1. 太阳能电池产业
发展现状
中国太阳能电池产业近年来高速发展,承担了全球近一半的产能,产品主要销往欧洲国家。
2009 年世界太阳电池总产量为 9340 MW,中国太阳能电池产量为 4382MW,占全球产量的
46.92%,但 95%以上产品出口国外。2008 年全世界太阳能电池总产量达 6850MW,中国太
阳能电池总产量达 1780MW,占全球总量的 26%。其中,国内太阳能电池龙头厂无锡尚德
2008 年产量约为 500MW,排名全球第三。天威英利产出 281.5MW,天合光能产出约 200MW。
太阳能光伏整体产业最近几年发展势头迅猛,产业链各个环节表现都较为突出。2009 年,
全国的多晶硅产量已达到 1.8 万吨~2 万吨,2009 年,中国太阳能光伏组件产量为 2500MW
左右,占全球的 3 成左右。2009 年,太阳能光伏发电安装量为 160MW,超过过去几十年累
计安装量的总和。
太阳能产业多晶硅原料供给过度依赖海外的矛盾逐渐缓解
2008 年之前,太阳能上游的多晶硅产业的提纯核心技术主要掌握在国外七大厂商手中。美
国的 Hemlock,挪威的 REC 、 美 国 的 MEMC、 德 国 的 Wacker 、日 本的 Tokuyama 、
MitsubishiMaterial 和 SumitomoTitanium。他们垄断了全球的多晶硅料供应,获得了太阳能产
业最丰厚的利润。
原料依赖进口是制约中国太阳能电池发展的一大瓶颈。这一矛盾在 2009 年将得到很大程度
的改善,2010 年中国多晶硅供需关系的矛盾得到解决。中国虽然已经成为太阳能电池生产
大国,但是 2007 年以前多晶硅供给能力却少的可怜。2007 年中国多晶硅需求量超过 1 万吨,
但是供给量却只有 1130 吨。2008 年全年多晶硅需求量超过 17000 吨,供给量也仅有 4110
吨,缺口较大,太阳能电池产业原料对进口依赖度较高。随着前期建设的多晶硅生产线陆续

投入生产,且生产水平稳步提高,2009 年中国多晶硅需求缺口已经降至 6000 吨。预计 2010
年中国多晶硅供需平衡关系将会逆转,全年多晶硅供给量将首次超过需求量。
近三年来,国内诸多小型企业盲目投资多晶硅项目,导致产能过剩。工业和信息化部、国家
发改委在《2009 年中国工业经济运行夏季报告》中指出,2009 年上半年,国内已立项的多
晶硅项目超过 50 个,投资规模将超过 1300 亿元,总产能超过 23 万吨。倘若这些产能全部
实现,相当于全球多晶硅年需求量的两倍。工信部指出,太阳能光伏等新兴产业的供给速度
将远超需求速度,近期中国光伏产业将出现过剩。2009 年,多晶硅的暴利时代已经出现拐
点;短期来看,国内在建多晶硅厂受到的冲击最大,这些庞大的投资可能尚未产生效益即成
为投资商沉重的包袱。
政府出台的相关政策助推太阳能产业的井喷发展
2003 年 10 月,国家发改委、科技部制定出未来 5 年太阳能资源开发计划。发改委“光明工
程”将筹资 100 亿元用于推进太阳能发电技术的应用。计划到 2005 年全国太阳能发电系统
总装机容量达到 300 兆瓦。
2009 年 3 月,财政部制定了《关于加快推进太阳能光电建筑应用的实施意见》和《太阳能
光电建筑应用财政补助资金管理暂行办法》。中央财政安排专门资金,对符合条件的光电建
筑应用示范工程予以补助,以部分弥补光电应用的初始投入。出台相关财税扶持政策的地区
将优先获得中央财政支持。
2009 年 7 月 21 日,财政部、科技部、国家能源局联合发布了《关于实施金太阳示范工程的
通知》,决定综合采取财政补助、科技支持和市场拉动方式,加快国内光伏发电的产业化和
规模化发展。三部委计划在 2-3 年内,采取财政补助方式支持不低于 500 兆瓦的光伏发电示
范项目,据估算,国家将为此投入约 100 亿元财政资金。重点扶持用电侧并网光伏,对并网
光伏发电项目,原则上按光伏发电系统及其配套输配电工程总投资的 50%给予补助。其中
偏远无电地区的独立光伏发电系统按总投资的 70%给予补助;对于光伏发电关键技术产业
化和基础能力建设项目,主要通过贴息和补助的方式给予支持。除对具体的发电工程实行补
助之外,光伏发电关键技术产业化示范项目以及标准制定,也被列入补贴的范畴之内。其中
就包括了硅材料提纯、控制逆变器、并网运行等关键技术产业化项目,以及太阳能资源评价、
光伏发电产品及并网技术标准、规范制定和检测认证体系建设等。
中国《新兴能源产业发展规划》已经上报国务院,该计划指出,2011~2020 年,中国将对
能源产业累计直接增加投资 5 万亿元。根据其具体细分,除核电和水电之外,可再生能源投
资将达到 2 万亿-3 万亿元,其中风电将占约 1.5 万亿,太阳能投资则达到 2000 亿-3000 亿。
《新兴能源产业发展规划》初步计划到 2020 年中国的水电装机容量达到 3.8 亿千瓦,风电
装机 1.5 亿千瓦,核电装机大约 7000-8000 万千瓦,生物质发电 3000 万千瓦,太阳能发电
装机容量达到约 2000 万千瓦。相比 2007 年颁布的《可再生能源中长期发展规划与核电中
长期发展规划》,风电、太阳能光伏及核电产业发展目标分别为原先规划的 5 倍、11 倍和 2
倍。
太阳能行业发展的关键技术已经列入国家级研发计划中。中国先后提出针对薄膜电池、敏化
电池技术的 973 计划。针对基础装备和材料,如碲化镉、硒铟铜、薄膜硅电池技术已经列入
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