3D IC堆叠技术:革新电子系统性能

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"3DIC堆叠技术.pdf" 随着电子设备需求的增长,3DIC(三维集成电路)堆叠技术作为系统级封装(SiP)的一种新形式,正在改变集成电路的设计和制造方式。这种技术遵循“超越摩尔”的理念,通过硅通孔(TSV)互连实现多层IC的叠加,从而提高电子系统的性能。TSV技术的优势在于其短连接长度、高互连密度、低阻抗、低功耗、宽带宽以及灵活的实现方案,允许模块间、模块与晶圆间或晶圆对晶圆的连接。 在3DIC堆叠技术中,设计和工艺技术的创新是关键。诺瓦克(Nowak)在高通公司的介绍中阐述了这一点,而高通公司的Radojcic深入探讨了异构3D集成电路产品的设计生态系统。Synopsys公司的Kawa等人介绍了设计自动化和TCAD工具,这些工具对芯片设计至关重要。Ramaswami在应用材料公司的工作中强调了TSV选项及其工艺集成挑战,同时展示了解决方案。接着,应用材料公司的专家们通过一系列章节介绍了TSV相关的单元工艺,包括介质沉积、物理蒸汽沉积、电镀和化学机械抛光等关键步骤。此外,临时和永久晶圆键合技术在TSV工艺流程中的作用也由EV集团的Kim等人进行了详尽分析。 TSV技术的实施不仅涉及技术层面,还涉及到整个电子系统行业的复杂性。这包括供应链管理、设计流程优化、制造工艺的精细控制以及组装和测试策略。Amkor Technology的达沃(Darveaux)等人的章节专门讨论了这些方面,为整个产业链提供了全面的视角。 本书由Banqiu Wu、Ajay Kumar和Sesh Ramaswami主编,汇集了业界专家的文章,涵盖了TSV技术的各个方面,适合工业、学术界和不同背景的读者阅读,以增进对TSV技术的理解并推动电子系统的发展。Wu、Kumar和Ramaswami三位作者都在应用材料公司担任重要职务,他们在TSV和封装领域有着丰富的经验和专业知识,他们的贡献为读者提供了深入的洞见。 3DIC堆叠技术是电子系统性能提升的前沿趋势,通过TSV技术的创新应用,有望解决SoC无法满足的高性能和多功能需求。书中涵盖的设计、制造和封装内容,为电子工程师、科研人员和行业领导者提供了宝贵的资源,以应对3D集成带来的挑战并抓住由此产生的机遇。