高级设计系统中的去嵌入技术

"Keysight的'De-embedding Techniques in Advanced Design System'是关于射频参数提取中去嵌入技术的专业资料，旨在介绍如何在高级设计系统中去除测试装置的影响，以获取更准确的器件特性。" 去嵌入（De-embedding）技术在射频和微波电路设计中至关重要，它允许工程师从测量数据中分离出真正器件的性能，去除测试设备（如探针、适配器、测试夹具等）带来的误差。在射频参数提取过程中，由于实际测试中器件总是与一些外部元件（如探头、连接线和测试夹具）一起工作，这些元件会引入额外的信号路径和反射，影响到对器件真实特性的评估。 文档中提到的Agilent Technologies（现Keysight Technologies）是电子设计自动化（EDA）领域的领先企业，他们提供的这款资料详细介绍了几种去嵌入技术： 1. **2-port de-embedding**：适用于简单的双端口器件，通过比较有无测试夹具的S参数来计算并移除夹具的影响。这种方法要求精确建模探头和SMA连接器的响应。 2. **Mixed-mode S-parameters**：适用于多端口或混合信号器件，考虑了输入和输出模式的相互作用，更全面地去除测试装置的影响。 3. **Four-port de-embedding**：利用四端口网络分析仪进行去嵌入，可以同时处理输入和输出端口的耦合效应，提供更准确的器件模型。 4. **TRL-based de-embedding**：时间反射长度（TRL）校准是一种基于传输线理论的方法，通过对参考标准的测量来校准测量系统，然后从被测器件的S参数中去除这些校准参数，从而得到纯净的器件响应。 这些技术的应用使得工程师能够更准确地了解器件在真实环境中的行为，对于射频和微波集成电路（RFIC）、封装和PCB设计等领域的高性能系统至关重要。在设计过程中，去嵌入技术能帮助优化性能，减少仿真与实测之间的差异，提高产品的可靠性。 在实践中，去嵌入通常包括以下几个步骤： 1. **非可插入测量**：测量包含测试装置的整体响应。 2. **DUT（Device Under Test）与测试夹具**：识别测试夹具对总测量结果的影响。 3. **后端测量**：测量仅由测试夹具产生的响应，以便从总响应中减去。 4. **计算并应用去嵌入因子**：根据所选择的去嵌入技术，计算出用于修正测量数据的因子或网络，将测试装置的影响消除。 "De-embedding Techniques in Advanced Design System"提供了射频设计工程师所需的工具和方法，以确保在复杂系统中获得精确的器件模型，这对于优化设计和提升产品性能具有决定性意义。