SDRAM芯片的预充电与刷新操作_sdram预充电 - CSDN文库

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SDRAM 芯片的预充电与刷新操作

预充电

由于 SDRAM 的寻址具体独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一 L-Bank 的另一行进行寻

址，就要将原来有效（工作）的行关闭，重新发送行/列地址。L-Bank 关闭现有工作行，准备打开新

行的操作就是预充电（Precharge）。预充电可以通过命令控制，也可以通过辅助设定让芯片在每次

读写操作之后自动进行预充电。实际上，预充电是一种对工作行中所有存储体进行数据重写，并对行

地址进行复位，同时释放 S-AMP（重新加入比较电压，一般是电容电压的 1/2，以帮助判断读取数据

的逻辑电平，因为 S-AMP 是通过一个参考电压与存储体位线电压的比较来判断逻辑值的），以准备

新行的工作。具体而言，就是将 S-AMP 中的数据回写，即使是没有工作过的存储体也会因行选通而

使存储电容受到干扰，所以也需要 S-AMP 进行读后重写。此时，电容的电量（或者说其产生的电

压）将是判断逻辑状态的依据（读取时也需要），为此要设定一个临界值，一般为电容电量的 1/2，

超过它的为逻辑 1，进行重写，否则为逻辑 0，不进行重写（等于放电）。为此，现在基本都将电容

的另一端接入一个指定的电压（即 1/2 电容电压），而不是接地，以帮助重写时的比较与判断。现在

我们再回过头看看读写操作时的命令时序图，从中可以发现地址线 A10 控制着是否进行在读写之后当

前 L-Bank 自动进行预充电，这就是上文所说的“辅助设定”。而在单独的预充电命令中，A10 则控制着

是对指定的 L-Bank 还是所有的 L-Bank（当有多个 L-Bank 处于有效/活动状态时）进行预充电，前者

需要提供 L-Bank 的地址，后者只需将 A10 信号置于高电平。

在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送 RAS 行有效命令打开新的工作行，这个间隔被

称为 tRP（Precharge command Period，预充电有效周期）。和 tRCD、CL 一样，tRP 的单位也

是时钟周期数，具体值视时钟频率而定。

读取时预充电时序图（上图可点击放大）：图中设定：CL=2、BL=4、tRP=2。自动预充电时的开始

时间与此图一样，只是没有了单独的预充电命令，并在发出读取命令时，A10 地址线要设为高电平

（允许自动预充电）。可见控制好预充电启动时间很重要，它可以在读取操作结束后立刻进入新行的

寻址，保证运行效率。

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