SI3460DDV-T1-GE3-VB: 30V N沟道SOT23-6 MOSFET with Low RDS(on) for ...

SI3460DDV-T1-GE3-VB是一款专为高性能应用设计的N沟道SOT23-6封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件由TrenchFET®技术制成，具有低的导通电阻（RDS(on)）特性，这对于DC/DC转换器和高速开关电路尤其适用。 该MOSFET的主要特点包括： 1. **环保特性**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，符合RoHS指令2002/95/EC的要求，体现出对环境保护的关注。 2. **电性能**： - 额定电压（VDS）高达30V，确保了足够的隔离能力。 - 在VGS = 10V时，RDS(on)典型值为0.023Ω，表现出高效的开关性能。 - 当VGS = 4.5V时，RDS(on)稍有增加，为0.027Ω。 - ID电流在不同温度下有限制，例如在25°C时连续工作电流（TC=25°C）可达6A，而在70°C时略有降低。 3. **安全限制**： - 定义了绝对最大工作条件，如持续脉冲电流（IDM）在300μs脉宽下的限制为25A。 - 源极-漏极二极管电流（IS）也有明确规定，有助于保护电路。 4. **热管理**： - 该器件允许的最大功率损耗（PD）在不同温度下有所不同，如25°C时为2.5W，随着温度升高，功率容量会相应下降。 - 为了安全操作，推荐的焊接峰值温度为260°C，并提供了不同的散热阻抗等级，以便于工程师在设计中考虑散热路径。 5. **温度范围**：从-55°C到150°C，表明该MOSFET适用于各种环境条件下的工作，包括存储温度。 6. **封装与安装**：表面安装，适用于1"x1" FR4板，且需注意在5秒内（t=5s）的热响应时间限制。 SI3460DDV-T1-GE3-VB是一款性能优越、低耗能的N沟道MOSFET，适用于对效率和可靠性的高要求应用，并提供了全面的电气特性和温度限制，方便工程师在设计电路时进行精确选择和适配。