DDR3 SDRAM规格详解:MT41J512M4/MT41J256M8/MT41J128M16

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"MT41J系列是DDR3 SDRAM内存芯片,由不同的存储容量型号组成,包括MT41J512M4、MT41J256M8和MT41J128M16。这些芯片设计为1.5V工作电压,具有中心终止的推挽式I/O接口,支持差分双向数据 strobe信号,并采用8n位预取架构。它们有8个内部银行,提供多种可编程延迟选项,如CAS读取延迟(CL)、附加CAS延迟(AL)和基于时钟周期的CAS写入延迟(CWL)。此外,这些芯片支持固定长度为8的突发传输和4的突发切分功能,可以通过模式寄存器集(MRS)进行设置。还具备在飞行选择BC4或BL8的功能。内存芯片还包含了自我刷新模式,适应不同温度范围下的刷新周期,并提供自我刷新温度(SRT)和自动自我刷新(ASR)功能。其他特性包括写级别校准、多功能寄存器和输出驱动校准。MT41J系列内存芯片采用无铅FBGA封装,有不同数量的引脚和尺寸供选择,如78球和96球封装,以及不同的配置标记,如512M4、256M8和128M16,分别对应512兆字节x4、256兆字节x8和128兆字节x16的存储容量。" DDR3 SDRAM(Double Data Rate Third Generation Synchronous Dynamic Random-Access Memory)是一种高速、低功耗的内存技术,比其前代DDR2提供更高的数据传输速率。MT41J系列是DDR3内存的典型代表,其中的“M4”、“M8”和“M16”表示数据宽度,分别代表4位、8位和16位的数据线宽度,而数字前的数值(512、256、128)则代表每个数据通道上的存储容量。 1. **电压和I/O**:MT41J系列工作在1.5V±0.075V的电压范围内,使用1.5V中心终止的推挽式I/O,确保信号完整性,同时减少功耗。 2. **数据传输**:支持差分双向数据strobes,这意味着数据在时钟的上升沿和下降沿均能被传输,显著提高了数据传输速率。 3. **预取架构**:8n位预取架构使得内存可以在一个时钟周期内处理更多的数据,提高数据吞吐量。 4. **内部银行**:8个内部银行允许并行访问不同位置的数据,增加了内存的并发处理能力。 5. **延迟控制**:通过可编程的CAS读取、写入延迟以及附加CAS延迟,可以优化系统性能,适应不同应用场景的需求。 6. **突发传输**:固定长度的突发传输(BL8)和突发切分(BC4)提供了灵活性,使得数据传输更加高效。 7. **自我刷新**:内存芯片能够根据温度条件自动调整刷新周期,确保数据的稳定存储,特别适用于移动设备或温度变化较大的环境。 8. **封装形式**:采用无铅FBGA封装,提供78球和96球两种选择,不同封装尺寸(8mmx10.5mm和8mmx14mm)满足不同设备的尺寸需求。 9. **配置标记**:通过不同的标记(如512M4、256M8、128M16),用户可以快速识别内存的容量和数据宽度。 这些特性使MT41J系列DDR3 SDRAM芯片成为高性能计算、服务器、工作站和嵌入式系统等应用的理想选择,提供高带宽、低功耗以及可靠的内存解决方案。