NT5DS系列DDRSDRAM芯片详细规格解析
需积分: 9 106 浏览量
更新于2024-08-01
收藏 1.22MB PDF 举报
"NT5DS_32M16BS是一款128兆位双数据速率SDRAM(Double Data Rate SDRAM)芯片,由南亚科技(Nanya Technology Corp)制造。该芯片的设计特点包括双数据率架构,双向数据 strobe (DQS),四个内部银行以实现并发操作,数据掩码(DM)支持写入数据,以及差分时钟输入等。此外,它还支持多种突发长度、CAS延迟选项,自动预充功能,自动刷新和自刷新模式。芯片的电源电压VDDQ和VDD均为2.5V,并且符合SSTL_2接口标准。该文档是英文版,发布于2001年5月。"
NT5DS_32M16BS是一款高性能的内存芯片,主要特点是采用了双数据率(DDR)架构,这意味着它在一个时钟周期内可以进行两次数据传输,显著提高了数据传输速率。DQS(数据选通)信号与数据一起发送并接收,用于接收端的数据捕获,确保数据传输的准确性。在读取操作中,DQS信号与数据边沿对齐,而在写入操作中则中心对齐,这种设计优化了数据同步。
芯片内含四个独立的内存银行,允许并发操作,这有助于提高多任务处理能力和系统性能。数据掩码(DM)功能使得在写入数据时可以选择性地忽略某些位,增加了内存操作的灵活性。此外,NT5DS_32M16BS支持DLL(延迟锁相环),用于同步DQ和DQS信号的转换与时钟信号CK,同时在读取周期中同步QFC(快速刷新)与CK。
命令在每个正向时钟CK边缘进入,而数据和数据掩码则参考DQS的两个边沿。突发长度(Burst Length)可设置为2, 4或8,CAS(Column Address Strobe)延迟有2和2.5两种选择,提供了不同应用场景下的性能调整。自动预充功能可以在每次突发访问后自动执行,节省了系统资源。NT5DS_32M16BS还具备自动刷新和自刷新模式,确保内存单元的稳定工作,其中最大平均周期性刷新间隔为15.6微秒。
该芯片符合PC2100模块规格,适用于当时的标准个人计算机系统。其电源电压VDDQ和VDD均设定在2.5V,允许±0.2V的公差,以保证在各种环境下的稳定工作。总体而言,NT5DS_32M16BS是面向高速、高效率计算应用的先进内存解决方案。
2019-04-12 上传
2023-06-06 上传
2023-11-11 上传
2024-09-05 上传
2024-03-17 上传
2023-05-12 上传
2023-06-06 上传
2023-11-01 上传
![](https://profile-avatar.csdnimg.cn/default.jpg!1)
coral1988
- 粉丝: 1
- 资源: 8
最新资源
- 解决Eclipse配置与导入Java工程常见问题
- 真空发生器:工作原理与抽吸性能分析
- 爱立信RBS6201开站流程详解
- 电脑开机声音解析:故障诊断指南
- JAVA实现贪吃蛇游戏
- 模糊神经网络实现与自学习能力探索
- PID型模糊神经网络控制器设计与学习算法
- 模糊神经网络在自适应PID控制器中的应用
- C++实现的学生成绩管理系统设计
- 802.1D STP 实现与优化:二层交换机中的生成树协议
- 解决Windows无法完成SD卡格式化的九种方法
- 软件测试方法:Beta与Alpha测试详解
- 软件测试周期详解:从需求分析到维护测试
- CMMI模型详解:软件企业能力提升的关键
- 移动Web开发框架选择:jQueryMobile、jQTouch、SenchaTouch对比
- Java程序设计试题与复习指南