基于有限并联电感和共源共栅电路结构设计的高效率E类功率放大器

"一1215-磁梯度张量基础介绍" 杜春山等人在论文中提出了一个高效率E类功率放大器的设计，通过采用有限并联电感和共源共栅电路结构技术，解决了在标准CMOS工艺中设计高效率E类功率放大器所面临的技术难点。该放大器在输出功率为25.5 dBm时，功率附加效率可达52.8%。 本文的主要贡献是设计了一种高效率E类功率放大器，使用有限并联电感和共源共栅电路结构技术，解决了在标准CMOS工艺中设计高效率E类功率放大器所面临的技术难点。该设计可以应用于低功耗、高效率功率放大器的设计，降低系统功耗。 在设计过程中，作者们也遇到了许多挑战，如如何提高功率附加效率、如何降低系统功耗等。为解决这些问题，作者们提出了许多解决方案，如采用有限并联电感和共源共栅电路结构技术、调整供电电压等。 本文的结果表明，所设计的功率放大器在输出功率为25.5 dBm时，功率附加效率可达52.8%。该结果证明了该设计的可行性和有效性。 本文的主要贡献是设计了一种高效率E类功率放大器，解决了在标准CMOS工艺中设计高效率E类功率放大器所面临的技术难点。该设计可以应用于低功耗、高效率功率放大器的设计，降低系统功耗。 在设计高效率E类功率放大器时，需要考虑到许多因素，如功率附加效率、系统功耗、输出功率等。为提高功率附加效率，需要采用合适的电路结构和技术，如有限并联电感和共源共栅电路结构技术。同时，也需要调整供电电压来提高功率附加效率。 本文的结果表明，所设计的功率放大器在输出功率为25.5 dBm时，功率附加效率可达52.8%。该结果证明了该设计的可行性和有效性。 在高效率E类功率放大器的设计中，需要考虑到许多技术难点，如如何提高功率附加效率、如何降低系统功耗等。为解决这些问题，需要采用合适的电路结构和技术，如有限并联电感和共源共栅电路结构技术。 本文的结果表明，所设计的功率放大器在输出功率为25.5 dBm时，功率附加效率可达52.8%。该结果证明了该设计的可行性和有效性。