CEM6338-VB：双60V N-Channel MOSFET，低导通电阻

CEM6338-VB是一款由VBSEMIBRAND生产的高性能SOP8封装的双极性N-Channel场效应MOS管，适用于需要高电流密度和低导通电阻的应用。这款器件采用了先进的Trench FET技术，确保了出色的性能和可靠性。 其主要特性包括： 1. **封装类型**: SOP8封装，紧凑型设计便于集成在电路板上。 2. **通道类型**: 两个独立的N-Channel沟道，分别由G1和G2控制，支持双路工作模式。 3. **电压等级**: 针对漏源电压（VDS）设计为60V，足以应对高电压环境。 4. **导通电阻(RDS(on))**: 在VGS=10V时，每个通道的典型RDS(on)为27mΩ，当VGS降至4.5V时，电阻会有所增加。 5. **电流能力**: 每个通道的连续导通电流(ID)高达7A，允许在大电流负载下工作。 6. **阈值电压(Vth)**: 每个MOSFET的阈值电压约为1.5V，保证了开关行为的稳定性。 7. **过载保护**: 提供了脉冲测试规格，如脉宽限制在300μs，占空比不超过2%，确保器件在短时间极端条件下的安全运行。 8. **热管理**: 最大功率损耗(PD)在25°C下为4W，而在125°C下降为1.3W，有明确的散热要求，如RthJA=110°C/W，表示热阻到环境。 在使用时，需要注意以下几点： - 封装尺寸限制了可能的布局选项。 - 安装在1英寸平方的FR4材料PCB上时，必须遵循特定的脉冲测试规范。 - 储存和操作温度范围从-55°C至+175°C，需确保在这些极限内以防止永久性损坏。 CEM6338-VB是一款适合于需要高效率、可靠性和宽工作电压范围的工业级应用，如电机驱动、电源管理以及功率转换等领域的关键组件。设计师在选择和使用这款器件时，应充分考虑其电气参数、散热需求以及封装规格，以实现最佳性能和系统稳定性。