SiC功率器件：性能优异，产业化进程加速

"SiC功率器件性能卓越，产业化在即" SiC（碳化硅）功率器件作为电力设备和新能源行业中的一项重要技术，以其独特的性能优势备受关注。SiC材料具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度和高热导率，这使得它在处理高功率任务时表现出优异的性能，例如低功耗、长寿命、高频率操作、小型化和轻量化。在电动汽车（EV）、轨道交通、通信和光伏领域，SiC功率器件具有很强的替代传统硅基器件的潜力。 报告指出，随着技术的进步和规模效应，SiC器件的成本逐渐降低。以特斯拉Model 3为例，通过分析Microsemi的数据，预计在未来3-4年内，当成本进一步下降时，SiC器件的系统成本将变得更具经济性，从而增强其在整个产品生命周期中的成本优势。 目前，SiC-JBS二极管和MOSFET晶体管是市场上最常见且产业化程度最高的SiC功率器件。SiC（混合）模块也是许多厂商的首选应用形式。国际市场上，Cree、罗姆和英飞凌是该领域的主导企业，分别占据26%、21%和16%的市场份额。尽管如此，国内企业也在积极布局，寻求在应用端实现突破。 据IHS预测，到2023年，全球SiC器件市场需求将达到16.44亿美元，2017-2023年的复合年增长率约为26.6%。主要应用领域包括电动汽车、快速充电设施、不间断电源（通信）、光伏、轨道交通以及航空航天和军事。尤其在电动汽车市场，预计将以81.4%的复合年增长率快速增长，显示出巨大的市场潜力。 然而，SiC技术的发展也面临风险，如下游应用的市场需求不如预期、器件成本下降速度慢于预期、国产企业产品研发进度滞后，以及市场化推广速度缓慢等。因此，投资者应关注那些在产业链各环节有突出表现的国内企业。 投资策略上，尽管海外企业具有先发优势，但国内企业正加速产业化进程。报告推荐关注中车时代电气（H股）、楚江新材和比亚迪（A+H股）等公司，这些企业有望在SiC功率器件领域取得显著进展并受益于市场的快速发展。