2SA1036三极管规格详解:低电压操作理想选择

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"2SA1036三极管手册提供了这款硅单晶平面晶体管的详细规格,适用于低电压操作。" 2SA1036三极管是一款由BL Galaxy Electrical Production制造的硅单晶平面晶体管,其文档编号为BL/SSSTC012,可以在www.galaxycn.com上获取。该手册涵盖了该型号三极管的主要特性和应用领域,以及订购信息和最大额定值。 主要特性包括: 1. 大的集电极-发射极饱和电流(IC, ICMAX):-500mA,这意味着该三极管能够在不超过500mA的连续电流下工作,适合处理较大电流的应用。 2. 低集射极饱和电压(VCE(sat)):2SA1036设计用于低电压操作,具有较低的导通压降,这有助于提高效率,特别是在电源电压有限的情况下。 3. 符合RoHS标准,无铅(Pb)封装,符合环保要求。 2SA1036三极管的应用主要包括: 1. 低电压操作电路,由于其低VCE(sat)特性,它在需要高效能和低功耗的电子设备中尤其适用。 该手册还列出了2SA1036的封装类型为SOT-23,这是一种小型表面贴装封装,适合高密度电路板布局。 在电气性能方面,2SA1036的额定值包括: 1. 集电极-基极反向击穿电压(VCBO):-40V,保证了在正常工作条件下基极与集电极之间不会发生击穿。 2. 集电极-发射极反向击穿电压(VCEO):-32V,保护集电极和发射极之间的绝缘。 3. 发射极-基极反向击穿电压(VEBO):-5V,确保基极与发射极之间的稳定性。 4. 集电极连续电流(IC):-500mA,这是三极管在正常工作温度下的最大电流能力。 5. 集电极耗散(PC):200mW,表示三极管允许的最大功率损耗。 6. 节点和存储温度(Tj, Tstg):-55℃到150℃,指明了三极管的工作和储存环境温度范围。 电气特性参数如集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO)和集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO)也给出,这些参数是衡量三极管耐受反向电压能力的关键指标。 2SA1036三极管是一款适用于低电压、大电流应用的高性能晶体管,具有良好的电气性能和环保属性,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。了解并正确使用这些参数对于电路设计者来说至关重要,以确保设备的可靠性和效率。