SI2300BDS-T1-GE3-VB MOSFET: N沟道20V低阻MOS场效应管特性与应用

"SI2300BDS-T1-GE3是一款由N沟道技术制造的SOT23封装MOSFET，适用于20V工作电压，具备低阻抗特性，RDS(ON)在4.5V时为24mΩ，2.5V时为33mΩ，阈值电压范围为0.45~1V。这款MOSFET是TrenchFET功率MOSFET，通过了100%Rg测试，符合RoHS指令要求，适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。" SI2300BDS-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET，设计用于高效能和小型化应用。它的关键特性在于其采用的TrenchFET技术，这是一种利用沟槽结构来提高性能的技术，可降低导通电阻（RDS(ON)），从而在高电流传输时减少能量损失。这款MOSFET在4.5V的门极-源极电压（VGS）下，导通电阻仅为0.028Ω，而在2.5V时为0.042Ω，这使得它在低电压驱动下也能保持良好的开关性能。 该器件的最大门极-源极电压为±12V，确保了其在宽电压范围内的稳定操作。其连续漏极电流（ID）在不同温度下有所不同，例如在25°C时为6A，在70°C时则下降到约5.1A，这是由于温度对半导体器件性能的影响。脉冲漏极电流IDM可达到20A，表明其在瞬态条件下仍能处理较高的电流峰值。 对于持续的源漏二极管电流（IS），在25°C时的最大值为1.75A，这表明它可以作为反向稳压二极管使用。最大功率耗散在25°C时为2.1W，随着温度升高，这个数值会相应下降，以防止过热。工作和存储的温度范围广泛，从-55°C到150°C，保证了在各种环境条件下的可靠性。 此外，SI2300BDS-T1-GE3符合RoHS指令2002/95/EC，意味着它不含有任何有害物质，并且通过了无卤素测试，符合环保标准。SOT23封装使其适合表面贴装在1"x1"的FR4板上，进一步满足了小型化设计的需求。 SI2300BDS-T1-GE3是一款适用于需要高效能、低功耗和小体积的电子设备的MOSFET，特别是对于电源管理、DC/DC转换器和便携式设备中的负载开关应用。其出色的电气特性、紧凑的封装以及符合环保要求的制造过程，使其成为工程师设计中的理想选择。