SI2300BDS-T1-GE3-VB MOSFET: N沟道20V低阻MOS场效应管特性与应用
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更新于2024-08-03
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"SI2300BDS-T1-GE3是一款由N沟道技术制造的SOT23封装MOSFET,适用于20V工作电压,具备低阻抗特性,RDS(ON)在4.5V时为24mΩ,2.5V时为33mΩ,阈值电压范围为0.45~1V。这款MOSFET是TrenchFET功率MOSFET,通过了100%Rg测试,符合RoHS指令要求,适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。"
SI2300BDS-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET,设计用于高效能和小型化应用。它的关键特性在于其采用的TrenchFET技术,这是一种利用沟槽结构来提高性能的技术,可降低导通电阻(RDS(ON)),从而在高电流传输时减少能量损失。这款MOSFET在4.5V的门极-源极电压(VGS)下,导通电阻仅为0.028Ω,而在2.5V时为0.042Ω,这使得它在低电压驱动下也能保持良好的开关性能。
该器件的最大门极-源极电压为±12V,确保了其在宽电压范围内的稳定操作。其连续漏极电流(ID)在不同温度下有所不同,例如在25°C时为6A,在70°C时则下降到约5.1A,这是由于温度对半导体器件性能的影响。脉冲漏极电流IDM可达到20A,表明其在瞬态条件下仍能处理较高的电流峰值。
对于持续的源漏二极管电流(IS),在25°C时的最大值为1.75A,这表明它可以作为反向稳压二极管使用。最大功率耗散在25°C时为2.1W,随着温度升高,这个数值会相应下降,以防止过热。工作和存储的温度范围广泛,从-55°C到150°C,保证了在各种环境条件下的可靠性。
此外,SI2300BDS-T1-GE3符合RoHS指令2002/95/EC,意味着它不含有任何有害物质,并且通过了无卤素测试,符合环保标准。SOT23封装使其适合表面贴装在1"x1"的FR4板上,进一步满足了小型化设计的需求。
SI2300BDS-T1-GE3是一款适用于需要高效能、低功耗和小体积的电子设备的MOSFET,特别是对于电源管理、DC/DC转换器和便携式设备中的负载开关应用。其出色的电气特性、紧凑的封装以及符合环保要求的制造过程,使其成为工程师设计中的理想选择。
2024-01-02 上传
2023-12-22 上传
2024-05-30 上传
2023-05-22 上传
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2023-05-14 上传
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2023-06-06 上传
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