SOT23封装P-Channel场效应MOS管J621-T1B-A-VB：高性能-5.6A，-30V规格

J621-T1B-A-VB是一款由VBSEM制造的高性能P-Channel沟道场效应MOS管，采用紧凑的SOT23封装，专为移动计算、负载开关、笔记本适配器开关以及直流/直流转换器等应用设计。这款MOSFET的主要特性包括： 1. **技术特点**： - TrenchFET® Power MOSFET技术，提供低导通电阻（RDS(ON)）和优秀的功率密度。 - 100% Rg测试，确保了元件的可靠性。 - 超低的阈值电压（Vth）为-1V，适合在宽范围的栅极电压（VGS）下工作。 2. **电气规格**： - 最大集电极源极电压（VDS）为-30V，确保在安全范围内操作。 - RDS(ON)典型值在VGS = -10V时为46mΩ，随着VGS增加，阻值略有升高，如VGS = -6V时为49mΩ。 - 集电极电流（ID）在连续模式下可达-5.6A，但在不同温度条件下有所限制。 - 门极漏电流（Qg）在典型条件下相对较小，例如VGS = -10V时为11.4nC。 3. **热性能**： - 在25°C环境温度下，最大功耗为2.5W，而70°C时降低到1.25W。 - 操作和存储温度范围广泛，从-55°C至150°C，允许适应各种环境条件。 4. **封装和尺寸**： - SOT-23封装，占用极小空间，适合表面安装在1"x1" FR4电路板上。 5. **安全限制**： - 绝对最大参数包括持续和脉冲工作下的电流限制，以及电源损耗等，都列有具体数值以确保设备的长期稳定运行。 J621-T1B-A-VB是一款适用于低电压、高电流场景的高性能P-Channel MOSFET，其小型化设计、出色的热管理能力和严格的测试标准使其成为现代电子系统中理想的组件选择。在设计电路时，需注意根据应用的具体需求来选择合适的栅极电压和电流级别，并充分考虑散热措施，以确保最佳性能和可靠性。