IRL2910PBF-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET for DC/DC Converters

"IRL2910PBF-VB是一种N沟道的MOS场效应晶体管，采用TO220封装，适用于100V工作电压环境。这款MOSFET具有TrenchFET技术，能承受175°C的结温，具备低热阻特性，且经过100%的栅极电荷测试。它主要应用于隔离型DC/DC转换器等领域。产品关键参数包括：在10V栅极电压下，漏源饱和电阻rDS(on)为0.017欧姆，额定连续漏电流ID在25°C时为70A，在125°C时为35A。此外，脉冲漏电流IDM可达145A，瞬态雪崩电流IAS为31A，单脉冲雪崩能量EAS为60mJ，最大功率耗散在25°C时为355W。其热性能包括结到外壳的热阻RthJC为0.4°C/W，结到环境的热阻RthJA为40°C/W。该器件符合RoHS标准，采用TO-220AB封装，制造商提供技术支持和服务热线400-655。" IRL2910PBF-VB是VBsemi公司的一款高性能N沟道MOSFET，设计用于高效率电源转换系统。其核心技术是TrenchFET，这是一种利用沟槽结构的MOSFET技术，能够在保持低漏源电阻的同时，提高器件的开关性能和耐压能力。TrenchFET的特性使得IRL2910PBF-VB在处理大电流时，具有更低的导通电阻，从而降低了功率损耗。 在电气特性方面，这款MOSFET的最大漏源电压VDS为100V，适合在中高压应用中使用。其栅源电压VGS的范围为±20V，保证了良好的控制特性。在25°C环境下，器件能够连续通过70A的电流（ID），而在125°C高温下，这个值降低到35A，这是考虑到高温下的热耗散限制。脉冲漏电流IDM高达145A，表明它能在短时间内处理更大的峰值电流。 IRL2910PBF-VB的雪崩特性允许在特定条件下进行安全的操作，如瞬态雪崩电流IAS为31A，这意味着它在短路保护电路中表现出良好的稳定性。单脉冲雪崩能量EAS为60mJ，确保了在发生雪崩击穿时，器件不会立即损坏。 散热是衡量MOSFET性能的关键指标之一。IRL2910PBF-VB的热阻特性包括结到外壳的热阻RthJC仅为0.4°C/W，这表明热量从器件内部传导到外壳的效率很高，有利于散热。而结到环境的热阻RthJA为40°C/W，意味着每增加1W的功率损耗，温度会上升40°C，因此，使用时需考虑合适的散热方案，尤其是当工作在满载或高温环境下。 最后，IRL2910PBF-VB符合RoHS环保标准，采用TO-220AB封装，这种封装形式提供了良好的机械强度和散热能力。用户可以通过VBsemi的官方网站或服务热线获取更多详细信息和技术支持。IRL2910PBF-VB是一款适合于高效率、高功率密度电源系统设计的优质N沟道MOSFET。