SOT23封装30V N-Channel MOSFET AFN3400S23RG-VB详解

AFN3400S23RG-VB是一款高性能的N-Channel场效应MOS管，采用SOT23封装，专为低电压差应用设计。该器件的特点包括： 1. **环保特性**：符合IEC61249-2-21标准，不含卤素，符合RoHS指令2002/95/EC，体现了对环境保护的关注。 2. **技术实现**：基于TrenchFET®技术的功率MOSFET，提供了高效和低导通电阻（RDS(on)）性能。 3. **测试与可靠性**：100% Rg测试，确保了元件的高可靠性和一致性。 4. **电气参数**： - **耐压**：最大Drain-Source Voltage (VDS) 为30V，适用于直流/直流转换器等应用。 - **导通阻抗**：在VGS=10V时，RDS(on)为0.030Ω，表现出极佳的开关效率。 - **电流能力**：连续工作状态下，当TJ=150°C时，最大Drain Current (ID)可达6.5A（在25°C时为6.0A）。 - **脉冲电流限制**：允许的最大脉冲 Drain Current (IDM) 达25A。 - **保护功能**：内置连续源-漏二极管电流限制，防止过载。 5. **散热及温度管理**：能在-55°C至150°C的宽温范围内工作，最大瞬时焊接温度建议不超过260°C，且有明确的热阻抗规格，如在25°C时，从Drain到环境的热阻为1.1W/K。 6. **安全操作**：提供电源损耗限制，如在25°C下，最大Power Dissipation (PD)为1.7W，确保设备的长期稳定运行。 7. **尺寸和封装**：采用了紧凑的SOT-23封装，适合表面安装，适合于小型电路板设计。 8. **注意事项**： - 部分电流值受限于包装，例如在25°C时，VGS=4.5V下的ID为6.0A。 - 考虑到散热条件，最大稳态条件下的热耗散限制为130°C/W。 这款AFN3400S23RG-VB N-Channel MOSFET是设计者在追求高效能、小型化和环保要求的现代电子系统中理想的选择，特别适合那些对功耗、温度管理和小型化有严格要求的应用场合。