SOT23封装30V N-Channel MOSFET AFN3400S23RG-VB详解
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更新于2024-08-03
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AFN3400S23RG-VB是一款高性能的N-Channel场效应MOS管,采用SOT23封装,专为低电压差应用设计。该器件的特点包括:
1. **环保特性**:符合IEC61249-2-21标准,不含卤素,符合RoHS指令2002/95/EC,体现了对环境保护的关注。
2. **技术实现**:基于TrenchFET®技术的功率MOSFET,提供了高效和低导通电阻(RDS(on))性能。
3. **测试与可靠性**:100% Rg测试,确保了元件的高可靠性和一致性。
4. **电气参数**:
- **耐压**:最大Drain-Source Voltage (VDS) 为30V,适用于直流/直流转换器等应用。
- **导通阻抗**:在VGS=10V时,RDS(on)为0.030Ω,表现出极佳的开关效率。
- **电流能力**:连续工作状态下,当TJ=150°C时,最大Drain Current (ID)可达6.5A(在25°C时为6.0A)。
- **脉冲电流限制**:允许的最大脉冲 Drain Current (IDM) 达25A。
- **保护功能**:内置连续源-漏二极管电流限制,防止过载。
5. **散热及温度管理**:能在-55°C至150°C的宽温范围内工作,最大瞬时焊接温度建议不超过260°C,且有明确的热阻抗规格,如在25°C时,从Drain到环境的热阻为1.1W/K。
6. **安全操作**:提供电源损耗限制,如在25°C下,最大Power Dissipation (PD)为1.7W,确保设备的长期稳定运行。
7. **尺寸和封装**:采用了紧凑的SOT-23封装,适合表面安装,适合于小型电路板设计。
8. **注意事项**:
- 部分电流值受限于包装,例如在25°C时,VGS=4.5V下的ID为6.0A。
- 考虑到散热条件,最大稳态条件下的热耗散限制为130°C/W。
这款AFN3400S23RG-VB N-Channel MOSFET是设计者在追求高效能、小型化和环保要求的现代电子系统中理想的选择,特别适合那些对功耗、温度管理和小型化有严格要求的应用场合。
2024-04-03 上传
2024-04-02 上传
2024-10-23 上传
2024-10-23 上传
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