英飞凌OptiMOSTM5 MOSFET IQE006NE2LM5技术规格
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更新于2024-08-04
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"IQE006NE2LM5 英飞凌 infineon 电子元器件芯片.pdf"
本文档详细介绍了英飞凌(Infineon)制造的一款名为IQE006NE2LM5的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),该器件属于OptiMOSTM 5系列,适用于电源管理和其他功率转换应用。以下是关于这款电子元器件芯片的关键知识点:
1. **产品特性**:
- IQE006NE2LM5拥有非常低的导通电阻(RDS(on))在VGS=4.5V时仅为0.65mΩ,这使得它在高效率电源设计中表现优异。
- 通过了100%雪崩测试,确保了其在过电压条件下的安全性。
- 优越的热性能,具有良好的散热能力。
- 作为N沟道MOSFET,它适用于需要控制电流流动的电路,例如开关电源和电机驱动。
- 铅(Pb)免费的引脚镀层,符合RoHS标准,即无铅环保。
- 按照IEC61249-2-21标准,是无卤素的,对环境友好。
2. **参数规格**:
- 最大 Drain-Source 电压 (VDS) 为25V,这意味着它可以承受的最大电压差是25V。
- 最大导通电阻RDS(on),在特定条件下,决定了流过MOSFET的电流时的电压损失。
- 连续漏极电流 (ID) 可达298A,表示在规定条件下,器件可以安全处理的最大电流。
- 总栅极电荷 (Qoss) 为41nC,影响开关速度。
- 从0V到4.5V的栅极电荷 (QG) 为29nC,决定了开关操作时的能量消耗。
3. **封装与标识**:
- IQE006NE2LM5采用PG-TSON-8-4封装,这是一种小型表面贴装器件,适合高密度PCB布局。
- 产品的标记代码为006E2L5。
4. **文档结构**:
- 文档包括描述、最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图表、封装轮廓以及修订历史等,提供了全面的技术信息。
5. **应用范围**:
- 由于其低RDS(on)和高电流能力,IQE006NE2LM5适用于工业应用,如电源模块、直流-直流转换器、电池管理系统和马达驱动等。
6. **质量认证**:
- IQE006NE2LM5完全按照JEDEC标准进行资格认证,确保了其在工业应用中的可靠性。
IQE006NE2LM5是一款高性能、低损耗、环保的N沟道MOSFET,适合于需要高效能和可靠性的电力电子系统中。其独特的特性和规格使其成为许多功率转换和管理应用的理想选择。
2023-05-27 上传
2023-05-27 上传
2023-07-16 上传
2023-06-07 上传
2023-03-31 上传
2024-05-22 上传
2023-05-27 上传
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