英飞凌OptiMOSTM5 MOSFET IQE006NE2LM5技术规格

"IQE006NE2LM5 英飞凌 infineon 电子元器件芯片.pdf" 本文档详细介绍了英飞凌（Infineon）制造的一款名为IQE006NE2LM5的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），该器件属于OptiMOSTM 5系列，适用于电源管理和其他功率转换应用。以下是关于这款电子元器件芯片的关键知识点： 1. **产品特性**： - IQE006NE2LM5拥有非常低的导通电阻（RDS(on)）在VGS=4.5V时仅为0.65mΩ，这使得它在高效率电源设计中表现优异。 - 通过了100%雪崩测试，确保了其在过电压条件下的安全性。 - 优越的热性能，具有良好的散热能力。 - 作为N沟道MOSFET，它适用于需要控制电流流动的电路，例如开关电源和电机驱动。 - 铅(Pb)免费的引脚镀层，符合RoHS标准，即无铅环保。 - 按照IEC61249-2-21标准，是无卤素的，对环境友好。 2. **参数规格**： - 最大 Drain-Source 电压 (VDS) 为25V，这意味着它可以承受的最大电压差是25V。 - 最大导通电阻RDS(on)，在特定条件下，决定了流过MOSFET的电流时的电压损失。 - 连续漏极电流 (ID) 可达298A，表示在规定条件下，器件可以安全处理的最大电流。 - 总栅极电荷 (Qoss) 为41nC，影响开关速度。 - 从0V到4.5V的栅极电荷 (QG) 为29nC，决定了开关操作时的能量消耗。 3. **封装与标识**： - IQE006NE2LM5采用PG-TSON-8-4封装，这是一种小型表面贴装器件，适合高密度PCB布局。 - 产品的标记代码为006E2L5。 4. **文档结构**： - 文档包括描述、最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图表、封装轮廓以及修订历史等，提供了全面的技术信息。 5. **应用范围**： - 由于其低RDS(on)和高电流能力，IQE006NE2LM5适用于工业应用，如电源模块、直流-直流转换器、电池管理系统和马达驱动等。 6. **质量认证**： - IQE006NE2LM5完全按照JEDEC标准进行资格认证，确保了其在工业应用中的可靠性。 IQE006NE2LM5是一款高性能、低损耗、环保的N沟道MOSFET，适合于需要高效能和可靠性的电力电子系统中。其独特的特性和规格使其成为许多功率转换和管理应用的理想选择。