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掩膜 ROM 存储的信息是由生产厂家根据用户的要求 , 在生产过程中采用掩膜工艺 ( 即
光刻图形技术 ) 一次性直接写入的 。 掩膜 ROM 一旦制成后 , 其内容不能再改写 , 因此它只
适合于存储永久性保存的程序和数据。
② PROM
PROM ( programmable ROM ) 为一次编程 ROM 。 它的编程逻辑器件靠存储单元中熔丝
的断开与接通来表示存储的信息:当熔丝被烧断时,表示信息
“
0 ” ;当熔丝接通时,表示信
息
“
1 ” 。 由于存储单元的熔丝一旦被烧断就不能恢复 , 因此 PROM 存储的信息只能写入一次
,
不能擦除和改写。
③ EPROM
EPROM ( erasable programmable ROM ) 是一种紫外线可擦除可编程 ROM 。 写入信息是
在专用编程器上实现的 , 具有能多次改写的功能 。 EPROM 芯片的上方有一个石英玻璃窗口
,
当需要改写时,将它放在紫外线灯光下照射约 15 ~ 20 分钟便可擦除信息,使所有的擦除单
元恢复到初始状态
“
1 ” ,又可以编程写入新的内容。由于 EPROM 在紫外线照射下信息易丢
失,故在使用时应在玻璃窗口处用不透明的纸封严,以免信息丢失。
④ EEPROM
EEPROM 也称 E2PROM ( electrically erasable programmable ROM )是一种电可擦除可
编程 ROM 。它是一种在线(或称在系统,即不用拔下来)可擦除可编程只读存储器。它能
像 RAM 那样随机地进行改写,又能像 ROM 那样在掉电的情况下使所保存的信息不丢失 ,
即 E2PRO M 兼 有 RA M 和 RO M 的双重功能特点 。 又因为它的改写不需要使用专用编程设备
,
只需在指定的引脚加上合适的电压(如+ 5V )即可进行在线擦除和改写,使用起来更加方
便灵活。
⑤ 闪速存储器
闪速存储器( flash memory ) ,简称 Flash 或闪存。它与 EEPROM 类似,也是一种电擦
写型 ROM 。与 EEPROM 的主要区别是: EEPROM 是按字节擦写,速度慢;而闪存是按块
擦写,速度快,一般在 65
65
65
65 ~ 170ns
170ns
170ns
170ns 之间。 Flash 芯片从结构上分为 串行传输和并行传输 两大
类:串行 Flash 能节约空间和成本,但存储容量小,速度慢;而 并行 Flash
Flash
Flash
Flash 存储容量大,速
度快。
Flash 是近年来发展非常快的一种新型半导体存储器 。 由于它具有在线电擦写 , 低功耗
,
大容量,擦写速度快的特点,同时,还具有与 DRAM 等同的低价位,低成本的优势,因此
受到广大用户的青睐。目前, Flash 在微机系统、寻呼机系统、嵌入式系统和智能仪器仪表
等领域得到了广泛的应用。
( 2 ) RAM 的类型
① SRAM
SRAM ( static RAM )是一种静态随机存储器。它的存储电路由 MOS 管触发器构成,
用触发器的导通和截止状态来表示信息
“
0 ” 或
“
1 ” 。 其特点是速度快 , 工作稳定 , 且不需要刷
新电路 , 使用方便灵活 , 但由于它所用 MOS 管较多 , 致使集成度低 , 功耗较大 , 成本也高
。
在微机系统中, SRAM 常用做小容量的高速缓冲存储器。
② DRAM
DRAM ( dynamic RAM ) 是一种动态随机存储器 。 它的存储电路是利用 MOS 管的栅极
分布电容的充放电来保存信息 , 充电后表示
“
1 ” , 放电后表示
“
0 ” 。 其特点是集成度高 , 功耗
低 , 价格便宜 , 但由于电容存在漏电现象 , 电容电荷会因为漏电而逐渐丢失 , 因此必须定时
对 DRAM 进行充电(称为刷新 ) 。在微机系统中, DRAM
DRAM
DRAM
DRAM 常被用做内存(即内存条 ) 。