STD3NK50ZT4-VB：高性能N沟道PowerMOSFET技术参数

"STD3NK50ZT4-VB是一款N沟道的功率MOSFET，采用TO252封装，具有低栅极电荷、增强的门极耐受性和动态dv/dt耐受性，适用于需要高效能和可靠性的应用。此器件已经完全表征了电容、雪崩电压和电流特性，并符合RoHS指令2002/95/EC的要求。其主要特点包括低驱动需求、高耐久性和出色的热性能。在实际应用中，它的最大漏源电压VDS为650V，当栅源电压VGS为10V时，导通电阻RDS(on)为2.1Ω。此外，该MOSFET的最大栅极电荷Qg为48nC，Qgs为12nC，Qgd为19nC。器件设计为单通道，且符合RoHS标准。在不同温度条件下，连续漏源电流ID会有变化，例如在25°C时，ID可达到3.2A，在100°C时则降至4.2A。此外，它还能承受脉冲漏源电流IDM高达18A，单脉冲雪崩能量EAS为325mJ，重复雪崩电流IAR为4A，重复雪崩能量EAR为6mJ，最大功率耗散随着温度线性下降，每增加一度温度减少0.48W。" 在电子电路设计中，STD3NK50ZT4-VB MOSFET是关键的开关元件，尤其适用于电源管理、电机驱动、负载切换和DC-DC转换器等应用。其低栅极电荷特性使得控制电路可以轻松驱动，降低开关损耗，提高系统效率。同时，其增强的门极、雪崩和动态dv/dt耐受性确保了在高电压和快速开关操作中的稳定性和可靠性。 TO252封装是一种常见的表面安装封装形式，它提供了良好的散热性能，适合在有限空间内处理较大功率。由于其符合RoHS标准，这意味着它不含有有害物质，有利于环保，同时也符合许多制造商的生产要求。 电容特性对于MOSFET的高频响应至关重要，而STD3NK50ZT4-VB的电容已充分表征，包括栅极-源极电容（Qgs）、栅极-漏极电容（Qgd）和体二极管电容。这些参数对理解器件的开关速度和频率响应非常有用。 最后，器件的额定雪崩能量和电流表明其在过电压条件下的耐受能力，允许在安全范围内进行短时间的雪崩操作，这对于保护电路免受瞬态过载影响至关重要。STD3NK50ZT4-VB是一款高性能、高耐受性的N沟道MOSFET，适用于需要高效能和可靠性的电源系统。