英飞凌AIGB50N65F5高速切换IGBT技术规格

"AIGB50N65F5 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片" 本文档是英飞凌(AINFINEON)公司的一款高速切换系列第五代高速FAST IGBT——AIGB50N65F5的datasheet，该器件基于TRENCHSTOP 5技术，适用于各种电力转换应用。以下是对该芯片的详细说明： 首先，AIGB50N65F5芯片采用了F5技术，这是一项先进的高效能技术，特别适合硬开关和谐振拓扑结构，能够提供业界领先的效率。它具有650伏的击穿电压，确保了在高压环境下的稳定工作。 其次，该芯片的门极电荷(QG)低，这意味着开关速度快且控制电路的功率损耗小。同时，其最大结温可达175°C，意味着在高温环境下也能保持良好的工作性能。此外，这款IGBT经过动态应力测试，保证了其在严苛条件下的可靠性。 根据AEC-Q101标准进行资格认证，表明AIGB50N65F5符合汽车行业严格的耐用性和质量要求。它还符合RoHS指令，是一款绿色环保的封装产品。用户可以在英飞凌的官方网站上找到完整的同类产品范围及PSpice模型，方便设计和仿真。 AIGB50N65F5的应用领域广泛，包括但不限于：离板充电器、车载充电器、直流/直流转换器以及功率因数校正等。这些应用通常需要高效的电力转换和控制，AIGB50N65F5的特性使其成为理想的选择。 在封装方面，该器件采用PG-TO263-3封装，其引脚定义为：1号引脚为门极(G)，2号引脚及背面为集电极(C)，3号引脚为发射极(E)。这些参数和封装设计旨在优化热管理和电气性能。 关键性能参数包括：额定电压650V，额定电流50A，当结温Tvj为25°C时饱和压降VCEsat为1.6V，最大结温Tvjmax为175°C。器件的标识代码为AG50EF5。 AIGB50N65F5是一款高性能、高效率、适应性强的IGBT，适用于对转换速度和效率有高要求的电力系统。通过其优秀的特性和广泛的应用场景，英飞凌的这款产品为电力电子设计提供了强大的解决方案。