AP9467AGH-VB：TrenchFET N沟道MOSFET技术规格

"AP9467AGH-VB是一款N沟道TO252封装的MOSFET，适用于同步整流和电源供应等应用。该器件采用TrenchFET功率MOSFET技术，通过100%的Rg和UIS测试，确保了其可靠性和性能。" AP9467AGH-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要特点在于采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，能够提供更低的导通电阻（RDS(on)）和更好的热性能。这种技术使得MOSFET在开关操作时能更有效地控制电流，从而在高效率电源系统中表现出色。 该MOSFET的典型RDS(on)在VGS=10V时为0.0050欧姆，而在VGS=4.5V时为0.0065欧姆，这表明在不同栅极电压下，它能够提供非常低的导通电阻，降低了在导通状态下的功率损耗。同时，其额定连续漏源电流ID在环境温度为25°C时为85A，在70°C时为70A，显示了良好的热稳定性。 AP9467AGH-VB的设计考虑到了脉冲电流能力，其脉冲漏源电流IDM可达250A，能够承受短时间的大电流冲击。此外，它还具有内置的雪崩能量承受能力，单脉冲雪崩能量EAS为320毫焦，允许在设计时考虑安全工作区，避免过大的瞬态电流引起损坏。 该器件的最大耗散功率在25°C时为312W，70°C时为200W，这得益于其良好的散热特性。连续源漏二极管电流IS在25°C时为110A，表明它可以作为高效的整流器。存储和工作温度范围为-55°C至150°C，确保了在各种环境条件下稳定运行。 热性能方面，AP9467AGH-VB的热阻抗参数未在摘要中完全给出，但通常这些参数对于评估器件在高负荷条件下的温升至关重要。低的热阻可以帮助器件在大电流工作时保持较低的结温，延长使用寿命。 总而言之，AP9467AGH-VB是一种高性能、低RDS(on)的N沟道MOSFET，适用于要求高效能、低损耗的电源转换和同步整流应用。其TrenchFET技术、高电流能力和耐雪崩特性使其成为电源设计的理想选择。