模拟电子技术基础课后答案解析

"模拟电子技术基础 课后答案" 在学习模拟电子技术基础的过程中，课后答案可以帮助我们巩固理解和复习课堂所学的知识。本资源包含了针对课程的课后辅导答案，覆盖了大学、中学乃至考研和各类考试的习题参考答案，可以在课后答案网（www.khdaw.com）、爱校园（www.aixiaoyuan.com）和淘答案（www.taodaan.com）找到。Khdaw团队致力于为学生提供一个分享和交流学习的平台，以促进自主学习。 本资料中涉及的第一章是关于“常用半导体器件”的内容，主要涵盖了以下几个知识点： 1. 半导体类型与掺杂： - N型半导体通过掺入三价元素（如硼）可以转变为P型半导体，因为在N型半导体中，三价元素的空穴是多数载流子。 - N型半导体的多子是自由电子，但整个半导体本身是电中性的，而不是带负电。 2. PN结特性： - PN结在无光照、无外加电压时，由于空间电荷区的作用，结电流接近于零。 - 晶体管处于放大状态时，集电极电流主要是由少数载流子的漂移运动形成，而非多子。 3. 场效应管： - 结型场效应管中，为了保证高输入电阻，栅-源之间通常需要承受反向电压，使得耗尽层增宽。 - 对于耗尽型N沟道MOS管，当UGS大于零时，栅-源间的耗尽层变薄，输入电阻会增大，而不是减小。 4. 选择题解析： - PN结加正向电压时，空间电荷区会变窄，使得电流更容易通过。 - 二极管的电流方程是基于Shockley理想二极管方程，当二极管端电压U为非零值时，电流I由饱和电流IS与反向饱和电流（1-e^(-U/UT)）之差决定。 - 稳压管在反向击穿区工作时，可以提供稳定的电压输出。 - 晶体管在放大区工作时，发射结需正偏，集电结需反偏。 - UGS=0V时，结型管和耗尽型MOS管可以工作在恒流区。 5. 电路分析： - 图T1.3中的电路包括二极管的各种应用，例如电压钳位、反相器等，输出电压的计算需要考虑二极管的导通电压UD。 通过这些解答，学生可以深入理解半导体器件的基本原理，熟悉PN结的行为，掌握晶体管和场效应管的工作模式，以及如何分析含有二极管的电路。这有助于提升对模拟电子技术基础知识的掌握，为后续的学习打下坚实的基础。