FDN340P-NL-VB SOT23封装MOSFET详解:关键参数与应用
"FDN340P-NL-VB是一款采用SOT23封装的P沟道MOSFET,适用于低电压、大电流的应用场景。其主要参数包括:最大漏源电压VDS为-20V,栅极阈值电压Vth在-0.81V左右,不同栅极电压下的RDS(ON)分别为57mΩ@4.5V和83mΩ@2.5V。该器件具有低栅极电荷(Qg)特性,典型值在不同电压下分别为10nC@-10V和61nC@-2.5V。此外,MOSFET的最大连续漏极电流ID在25°C时为-4.5A,在70°C时为-3.5A。" FDN340P-NL-VB MOSFET是P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,主要用于需要控制电流流动的电路中。这款器件的特点在于其小型化SOT23封装,适合表面贴装在1"x1"FR4板上。在25°C的工作温度下,其最大连续漏极电流ID为-4.5A,而当温度升至70°C时,这个值会降至-3.5A。这表明其在高温环境下的性能有所下降,设计时需要考虑散热。 MOSFET的栅源电压VGS决定了其导通程度,对于FDN340P-NL-VB,当VGS为-10V时,RDS(ON)约为35mΩ,而当VGS降低到-2.5V时,RDS(ON)增加到约61mΩ。较低的RDS(ON)意味着在导通状态下电阻较小,从而导致更低的功耗和更高的效率。 此外,MOSFET的绝对最大额定值是关键的安全指标,例如,最大漏源电压VDS为-20V,栅极-源极电压VGS为±12V,确保了器件在规定条件下不会损坏。最大脉冲漏极电流IDM为-18A,连续源漏二极管电流IS在25°C时为-1.0A,这些参数限制了MOSFET在瞬态条件下的工作能力。 在热性能方面,FDN340P-NL-VB的最大结温TJ为150°C,最大功率耗散PD在25°C时为2.5W,但随着温度升高,这个值会减小。其热阻RthJA和RthJF分别表示结到环境和结到脚的热阻,数值越低,散热性能越好。在短脉冲条件下,最大结到环境的热阻RthJA为75°C/W,而在稳态下,结到脚的热阻RthJF为40°C/W。 FDN340P-NL-VB是一款适合于低电压、高电流应用的P沟道MOSFET,其小巧的封装、良好的热特性和低RDS(ON)使其成为便携式设备、电源管理以及逻辑切换等领域的理想选择。同时,由于符合IEC61249-2-21标准,该器件不含卤素,符合绿色环保的要求。
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