2SK3484-Z-E1-AZ MOSFET技术规格与应用解析

"2SK3484-Z-E1-AZ是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET，适用于100V工作电压，最大连续电流为18A，具有低的RDS(ON)，在10V和4.5V的门极电压下分别约为115mΩ和121mΩ。该器件设计适用于150°C的结温，优化于PWM应用，并符合RoHS指令。主要应用领域包括主侧开关。" 2SK3484-Z-E1-AZ MOSFET是东芝公司生产的一款高性能功率半导体器件，其特性与应用如下： 1. **TrenchFET技术**：2SK3484-Z-E1-AZ采用TrenchFET结构，这是一种沟槽型MOSFET，通过在硅片上刻蚀出深沟槽来减小沟道电阻，从而实现更低的RDS(ON)，提高效率和开关性能。 2. **耐高温设计**：该器件可承受高达150°C的结温，这使得它在高热环境或需要高功率密度的应用中表现出色。 3. **PWM优化**：2SK3484-Z-E1-AZ专为脉宽调制（PWM）应用优化，这意味着它在开关电源、电机驱动和其他需要快速开关频率的系统中表现良好。 4. **RDS(ON)参数**：在10V的门极电压下，RDS(ON)为115mΩ，而在4.5V的门极电压下，RDS(ON)为121mΩ。低的RDS(ON)值意味着在导通状态下，器件的导通电阻小，能减少功耗和发热。 5. **安全操作区（SOA）曲线**：器件的额定电流和电压会在不同条件下进行降额，具体可参考SOA曲线图以确保安全操作。 6. **电气规格**：2SK3484-Z-E1-AZ的最大连续漏源电压VDS为100V，最大门极源电压VGS为±20V，最大连续漏极电流ID在不同温度下有所不同，例如在25°C时为18A，在125°C时为13A。 7. **热性能**：器件的热阻包括结到空气的RthJA和结到壳的RthJC，分别典型值为15°C/W和0.85°C/W，这影响了器件在工作时的散热能力。 8. **应用领域**：这款MOSFET适用于主侧开关应用，可能包括电源转换器、逆变器、电机控制以及其他需要高效能、低损耗开关元件的电力电子系统。 9. **合规性**：该产品符合欧盟的RoHS指令2002/95/EC，意味着它不含铅和其他有害物质，符合环保要求。 10. **封装形式**：采用TO252封装，这种封装形式常见于功率器件，易于安装且散热性能良好。 总体而言，2SK3484-Z-E1-AZ是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，特别适合于需要低RDS(ON)和高耐热性的电源管理应用。在设计电路时，需考虑其电气特性和热管理，以确保设备的稳定运行。