FDC5614P-NL-VB MOSFET：特性、应用与关键参数

"FDC5614P-NL-VB是一款由VBsemi生产的P沟道TrenchFET功率MOSFET，采用SOT23-6封装，适用于负载开关等应用。其主要特点包括低导通电阻和快速开关性能。在25°C时，RDS(ON)为50mΩ（VGS=10V）和60mΩ（VGS=4.5V）。最大漏源电压VDS为-60V，连续漏极电流ID在不同温度下有所不同，最大额定功率在25°C时为3.0W。此外，该器件具有良好的热特性，如低结温至环境的热阻RthJA和RthJF。" FDC5614P-NL-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其设计采用了TrenchFET技术，这有助于减少器件的尺寸并提高其开关速度，同时保持较低的导通电阻。该MOSFET的最大特点是其在不同电压和温度下的低RDS(ON)，这意味着在导通状态下，它能以较小的电压损失传输较大的电流，从而提高效率。 在电气特性方面，FDC5614P-NL-VB的最大门极-源极电压VGS为±20V，适合驱动电路的需求。其最大连续漏极电流ID在25°C时为-3.5A，随着温度升高，这个值会有所下降。脉冲漏极电流IDM可达-10A，这使得该器件能够处理短期的大电流脉冲。此外，内置的源漏二极管允许在反向偏置时安全地进行电流流动，最大连续源漏二极管电流IS为-2.5A。 考虑到散热性能，FDC5614P-NL-VB的最大结温范围为-55到150°C，允许在一定范围内工作而不会损坏器件。在25°C时，最大结温至环境的热阻RthJA为55°C/W，而结温至脚的热阻RthJF为34°C/W。这些参数对于评估器件在高功率应用中的稳定性和寿命至关重要。 FDC5614P-NL-VB是一款适用于需要高效、小型化和可靠性的负载开关应用的MOSFET。其优秀的开关特性和低热阻特性使其在电源管理、电池保护、以及需要精确控制电流流过的其他电子设备中具有广泛的应用价值。