微磁学模型研究：CoPt-TiO2/Co-TiO2交换耦合磁记录薄膜的磁性影响

"CoPt-TiO2/Co-TiO2交换耦合磁记录薄膜的研究" 本文主要探讨了CoPt-TiO2（16 nm）/Co-TiO2（4 nm）交换耦合磁记录薄膜的磁性质，通过建立微磁学模型来分析其磁性能的变化规律。在磁记录领域，这种交换耦合介质因其独特的磁特性被广泛研究，以提高存储密度和数据稳定性。 首先，文章提到建立了一个包含微结构的微磁学模型，该模型能够模拟薄膜中的磁域行为，考虑了软磁层的磁晶各向异性场和饱和磁化强度等关键磁性参数。磁晶各向异性场是指材料内部由于晶体结构导致的磁矩排列方向的偏好，而饱和磁化强度则表示材料在无外磁场作用下所能达到的最大磁化程度。 在CoPt-TiO2（16 nm）的硬磁薄膜中，计算得出的矫顽力为6.1 kOe，这意味着需要相当大的反向磁场才能消除磁化，显示了其良好的磁稳定性。同时，矩形度为0.98，表明磁滞回线接近理想矩形，这在磁记录应用中非常重要，因为它意味着更好的读写可靠性。 交换耦合介质中，软磁层的厚度变化对磁性能有显著影响。当软磁层的厚度δ从0 nm增加到4 nm时，易磁化轴的矫顽力从6.1 kOe降低到4.9 kOe。这说明软磁层的存在可以降低整体的矫顽力，从而减少写入数据所需的磁场强度。同时，软磁层的磁晶各向异性场越小，饱和磁化强度越大，整个薄膜的矫顽力也越小。这揭示了软磁层的“软磁”特性，即易于磁化和消磁，对改善磁记录系统的性能至关重要。 此外，文章还强调了微磁学在理解这些现象中的关键作用。通过微磁学模型，可以精确预测不同参数下的磁性行为，这对于优化磁记录材料的设计和提高磁存储系统的性能具有指导意义。 这项研究深入探讨了交换耦合磁记录薄膜的磁性参数与性能之间的关系，为未来开发更高密度、更稳定的磁存储设备提供了理论基础和实验依据。交换耦合介质的磁性质研究不仅有助于推动磁记录技术的进步，还可能对纳米磁学、磁性材料以及信息技术领域的其他应用产生深远影响。