新洁能NCE2312：20V 4.5A SOT-23封装 MOS场效应管

"新洁能 NCE2312是一款20V 4.5A的N沟道场效应管，采用SOT-23封装，适用于LED电源、充电器、快充、旅充和小家电等领域，具备低RDS(ON)、低门极电荷及2.5V低栅极电压操作的特点。" 新洁能（NCE Power Semiconductor Co., Ltd）推出的NCE2312是一款低压N沟道增强模式功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，设计目标是提供出色的低导通电阻（RDS(ON)）、低门极电荷以及支持2.5V的低栅极电压工作。这款器件非常适合用作电池保护或开关应用。以下是其主要特点： 1. **额定参数**：NCE2312的最大drain-source电压（VDS）为20V，连续漏源电流（ID）在25℃时可达4.5A，在70℃时为3.6A。此外，它还支持脉冲漏源电流（IDM），最大值可达到13.5A。 2. **性能优势**：在VGS=2.5V时，RDS(ON)小于40毫欧，而在VGS=4.5V时，RDS(ON)小于33毫欧。这确保了在低电压下仍能保持低电阻，从而降低功耗和发热。 3. **应用领域**：NCE2312因其高功率和电流处理能力，常用于电池保护电路、负载开关和电源管理。在LED电源、充电器（包括快充和旅充）以及各种小家电产品中，其小尺寸SOT-23封装特别适用。 4. **封装与标识**：该器件采用表面贴装的SOT-23封装，设备标记为"2312"，每卷直径为180mm，带宽8mm，每卷包含3000个单元。 5. **极限参数**：在25℃环境温度下，drain-source电压的绝对最大额定值为20V，栅源电压（VGS）的绝对最大值为±12V。器件设计考虑了高温条件下的连续工作，以确保在70℃时仍能安全运行。 6. **质量与可靠性**：作为无铅产品，NCE2312符合环保标准，其稳定的质量使得它在多个电子应用中得到广泛应用。 综合以上特性，新洁能的NCE2312是设计者在寻求低压、大电流和小封装解决方案时的理想选择，尤其在需要高效能和低能耗的电源管理方案中。