480℃碳纳米管场发射阴极厚膜工艺优化：4.2%银浆比例与性能提升

该篇论文深入探讨了碳纳米管（CNT）在场发射阴极中的厚膜制备工艺。作者们以西安交通大学电子与信息工程学院为研究背景，针对如何在Si基底上获得均匀、平整且具有优异场发射性能的CNT厚膜进行了系统的研究。他们特别关注浆料配方和烧结工艺的选择，以确保CNT的有效利用和稳定性能。 研究过程中，他们发现银浆在浆料中的最佳比例大约为4.2%，这个比例能够保证CNT厚膜在烧结温度为480℃（在空气中）时，既能够紧密附着在Si基底上，又避免过度氧化。然而，如果银浆比例过高，会显著降低在高电压下的场发射电流。通过实验数据，研究人员发现CNT厚膜的开启电压为2.4V/μm，当电场强度提升到5V/μm时，场发射电流密度能达到27.8μA/cm²，显示出良好的场发射性能。 然而，尽管场发射性能良好，但在发光显示方面存在不足。为改善这一点，研究者提出了一种策略，即在浆料中加入有机粘结剂，以优化CNT的排列和增强其与基底之间的相互作用，从而提高发光显示的效果。这项研究对碳纳米管在场发射器件中的应用提供了重要的工艺优化指导，对于提高场发射阴极的性能以及推动纳米材料在电子器件中的实际应用具有重要意义。 论文的关键领域包括碳纳米管阴极（CNT cathode）、厚膜工艺（thick film process）、银浆（Ag paste）以及场发射性能（field emission）。这些研究结果被归类在工程技术（EEAC分类：7260；2340），表明它对工程实践和技术发展具有实际价值。