Hynix GM76U256C：32Kx8bit CMOS SRAM技术规格

"Hynix GM76U256C.pdf" 本文档是对Hynix Electronics生产的GM76U256C系列32Kx8位CMOS静态随机存取存储器（SRAM）的一般性产品描述，可能会在没有通知的情况下进行变更。Hynix Electronics对于所描述的电路的使用不承担任何责任，也没有暗示任何专利许可。 文档修订历史如下： - Rev00：2000年7月8日初稿，进行了数据表格式更改，添加了PDIP封装类型，并调整了引脚配置。 - Rev01：2000年12月4日最终修订，增加了标记信息，添加了5pF测试负载条件。 - Rev02：2001年4月30日最终修订，更新了公司标识，HYUNDAI改为hynix，并对GM76U256C系列进行了描述。 GM76U256C是一款高速、低功耗的32,786x8位CMOS静态RAM，采用Hynix的高性能CMOS工艺技术制造。它适用于低压操作和电池备份应用。该设备具有数据保留模式，保证在最低电源电压2.0伏时数据仍然有效。 主要特点包括： 1. 完全静态操作：这意味着无需时钟信号，设备就能保持数据状态。 2. 三态输出：允许输出在高阻抗状态下，从而在多个设备共享总线时提供更好的控制。 3. 与TTL兼容的输入：这使得GM76U256C可以轻松地与使用TTL逻辑电平的其他电路接口集成。 4. 低功耗设计：适合电池供电的应用，延长电池寿命。 5. 数据保留模式：在电源电压降低至2.0伏时，仍能保持数据的完整性。 该器件提供了快速的访问速度和低功耗特性，使其成为便携式电子设备和需要高效能、低能耗存储解决方案的应用的理想选择。由于其兼容TTL的特性，它可以在各种系统设计中作为内存扩展或缓存使用，特别是在那些需要快速存取小量数据的场合。 使用GM76U256C时，应参考最新的数据手册以获取完整的电气特性、操作条件和封装信息。在实际应用中，正确设计电源管理、时序控制和信号完整性是确保设备正常工作和系统性能的关键。 请注意，尽管此文档提供了详细的技术规格，但在设计过程中还应遵循Hynix提供的最新设计指南和应用笔记，以确保最佳性能和可靠性。