华成英主编：模拟电子技术基础习题答案详解

本资源是华成英主编的《模拟电子技术基础》习题答案，针对学习者在该领域进行自我测试和作业辅导提供帮助。主要内容涵盖第一章节，涉及半导体器件的基础知识和常见问题。 1. **半导体器件基础知识** - N型半导体中掺入三价元素可以转变为P型半导体，这是正确的，因为三价元素通常会带来空穴，与N型半导体中的自由电子形成P-N结。 - N型半导体虽然多子为自由电子，但整体不带电，故第二题错误。 - PN结在无光照和外加电压时，由于内部电荷平衡，结电流确实为零，第三题正确。 - 晶体管的放大状态是由少数载流子的扩散和漂移作用形成，而非多子的漂移，第四题错误。 - 结型场效应管的栅-源电压需使其耗尽层承受反向电压，以确保高输入阻抗，第五题正确。 - 耗尽型N沟道MOS管，当UGS（栅-源电压）大于零时，其输入电阻不会明显减小，第六题错误。 2. **半导体器件应用实例** - PN结加正向电压时，空间电荷区会变窄，因为多数载流子会向对方扩散，第七题选A。 - 二极管的电流方程为I = I_se^(-U/UD)，其中U是端电压，第八题选C，采用肖克利方程。 - 稳压管在反向击穿区工作，能提供稳定的电压，第九题选C。 - 晶体管放大区时，发射结正偏而集电结反偏，以形成电流放大，第十题选B。 - 结型管和增强型MOS管在UGS=0V时可工作在恒流区，第十一题选A和B。 3. **电路分析** - 图T1.3所示电路中，根据不同元件特性计算得出UO1、UO2等输出电压，数值具体见部分解答。 - 在图T1.4中，利用稳压管的稳压值和最小稳定电流计算UO1为6V，UO2为5V。 - 图T1.5中，根据晶体管的输出特性曲线和最大耗散功率，画出过损耗区，临界点由几个不同UCE值对应的IC值确定。 - 图T1.6所示电路的分析未在提供的部分给出，可能是其他类型的电路设计或计算问题。 通过这些习题答案，学习者可以巩固对模拟电子技术基础的理解，提升解决问题的能力，适用于电子工程、通信工程等专业的学生在学习过程中参考和练习。