FeCoB薄膜微波噪声抑制器：工艺参数与性能优化

本文研究了"FeCoB基薄膜微波噪声抑制器的传导噪声抑制特性"，由重庆大学光电工程学院传感器与仪器研究中心的邱景在2014年发表。研究主要目的是开发高性能的微波噪声抑制器，以应对电子工业和通信技术发展中产生的GHz频段电磁噪声问题。通过射频磁控溅射工艺，作者制备了FeCoB基薄膜，这是一种具有软磁特性的材料，被应用于微带线法进行噪声抑制性能测试。 研究发现，低氧气压在薄膜微波噪声抑制器的制作过程中起到了关键作用，适当的压强有助于提高噪声抑制性能。同时，通过精确控制FeCoB薄膜和SiO2介质层的几何尺寸，可以实现对噪声抑制性能的连续可调。这种调节主要依赖于软磁薄膜的铁磁共振损耗和涡流损耗机制。具体到实验示例，制备的FeCoNiB薄膜（尺寸为25mm×10mm×250nm）在3.4GHz信号传输时，能有效降低信号传输功率损耗，信号衰减比例达到75%，显示出显著的噪声抑制效果。 传统抗电磁干扰方法如滤波法在微型化和集成化电子设备中的应用受到限制，而纳米软磁薄膜因其小型化、高频率响应和易于集成的优势，成为了当前微波噪声抑制领域的研究热点。作者还引用了Masahiro Yamaguchi等人的工作，他们通过类似的研究方法验证了薄膜对高频噪声的衰减效应。 这项研究不仅揭示了FeCoB基薄膜微波噪声抑制器的关键参数对噪声抑制性能的影响，还为设计和优化GHz频段的微波噪声抑制器提供了有价值的指导，为抗电磁干扰技术的发展做出了贡献。