Micron DDR3L SDRAM MT41K系列概述与特性

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Micron-MT41K128M16JT-125是一款1.35V低电压DDR3L SDRAM内存芯片,它是1.5V DDR3 SDRAM的低电压版本,适用于在1.5V兼容模式下运行。这款内存的主要特点如下: 1. **工作电压**:支持1.35V(1.283V 至 1.45V)作为数据和时钟电压(VDD = VDDQ),并且向下兼容1.5V ± 0.075V的工作电压范围,这意味着它可以在多种应用中提供灵活性。 2. **接口设计**:采用差分双向数据 strobe,具备8个内部银行,每个银行由16个独立的16MB(16 Megabytes)存储单元组成,通过MRS(模制寄存器集)允许用户选择BL8(连续突发长度)或BC4(突发切片)操作。 3. **性能特性**: - **预取架构**:8n位预取架构,提高了数据访问速度。 - **控制信号**:具有可编程的CAS(读取)延迟(CL,Latency),POSTED CAS附加延迟(AL),以及写入CAS延迟(CWL)。 - **刷新模式**:包括自刷新模式,支持在不同温度下的刷新周期,例如95°C时为-64ms,每8192周期刷新一次,超过85°C后自动调整至-32ms/8192周期。 - **自适应功能**:如自动自刷新(ASR)和自我刷新温度(SRT)控制。 - **写入均衡**:减少写入干扰,确保数据一致性。 - **多功能寄存器**:用于设置和管理其他高级功能。 4. **选项和标记**:提供512MB x 4配置,即总容量为2GB(512兆字节乘以四个)。这些内存模块的封装可能有不同的标记方式,以区分不同的规格和配置。 Micron MT41K128M16JT-125是一款面向低功耗应用的高性能DDR3L SDRAM,其独特的设计使其能在1.35V电压下保持兼容性和高效能,并且提供了丰富的可编程功能以满足不同应用场景的需求。它在现代电子系统中的集成度高,性能优越,适合于对内存带宽和能耗有较高要求的应用,如移动设备、服务器和数据中心等。