SI2304DS-T1-E3-VB：N沟道SOT23封装MOSFET技术规格

"SI2304DS-T1-E3-VB是一款N沟道SOT23封装的MOSFET，适用于DC/DC转换器应用。这款MOSFET具有低RDS(on)，高效率和环保特性。" SI2304DS-T1-E3-VB是一款由国际知名半导体制造商生产的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用紧凑的SOT23封装，适合空间有限的电路设计。其主要特点包括： 1. **TrenchFET®技术**：采用了先进的TrenchFET结构，这种技术通过在硅片上蚀刻出深沟槽，使得栅极电荷控制更精确，降低了导通电阻RDS(on)，从而提高了开关性能和效率。 2. **低RDS(on)**：在VGS=10V时，RDS(on)仅为0.030Ω，而在VGS=4.5V时，RDS(on)为0.033Ω。低的RDS(on)意味着在导通状态下，器件的电压降较小，能有效减少功率损失。 3. **环保认证**：符合IEC61249-2-21标准定义的无卤素要求，并符合RoHS指令2002/95/EC，确保产品对环境友好。 4. **100%Rg测试**：所有器件都经过了栅极电阻Rg的100%测试，保证了产品质量和一致性。 5. **应用领域**：适用于DC/DC转换器，这是电子设备中常见的电源管理组件，用于将输入电压转换为所需的输出电压。 产品规格参数包括： - **最大drain-source电压VDS**：30V，保证了器件在正常工作电压范围内的稳定性。 - **最大gate-source电压VGS**：±20V，确保了栅极控制的宽泛范围。 - **连续drain电流ID**：在不同温度下，ID有不同的最大值，如25°C时为6.5A，70°C时为6.0A。 - **脉冲drain电流IDM**：25A，表明器件在短时间内能承受的峰值电流。 - **源漏二极管连续电流IS**：在特定条件下，器件的体二极管可承受的最大电流。 - **最大功率耗散PD**：在不同温度下，器件能安全散发的最大功率。 - **工作和存储温度范围**：-55°C至150°C，确保器件在广泛温度范围内可靠工作。 此外，该器件还提供了焊接温度建议和热阻抗参数，以指导正确安装和散热设计，确保器件在实际应用中的长期可靠性。总体来说，SI2304DS-T1-E3-VB是一款高性能、低功耗且环保的N沟道MOSFET，适用于需要高效能、小型化解决方案的电源管理电路。