三星K7M161825M数据手册：512Kx36&1Mx18位Flow-Through NtRAM

"SAMSUNG-K7M161825M.pdf 是一份由三星电子发布的关于512Kx36位和1Mx18位Flow-Through NtRAM (Non-volatile RAM) 的数据手册。文档版本为3.0，发布于2001年2月。三星电子保留对规格进行变更的权利，并承诺会针对设备参数的询问进行评估和回复。修订历史显示，该文档经历了多次更新，以优化不同工作条件下的参数，如读取时间、静态电流和工作周期等。" 本文档详细介绍了三星的K7M161825M和K7M163625M型号的NtRAM芯片，这是一种非易失性存储技术，具备在断电后仍能保持数据的特性。512Kx36位和1Mx18位分别代表了存储单元的不同容量配置，前者为512K个36位的存储单元，后者为1M个18位的存储单元。 Flow-Through设计是指数据流通过存储器阵列的方式，这种设计有助于提高数据传输效率和系统性能。NtRAM技术结合了传统DRAM的高速访问与闪存的非易失性优点，使得这类芯片适用于需要持续保存数据的系统，如嵌入式系统、服务器和移动设备等。 在修订历史部分，我们可以看到文档经过了多个版本的迭代和改进。例如，修订0.1更新了ICC（集成电路电流消耗）和ISB（输入/输出静态电流）的值；修订0.2到0.4逐步增加了读取输出使能（TOE）的时间从3.5ns到4.0ns，以适应不同的温度条件；修订1.0和1.1则调整了ISB的值以改善低温度下的电流消耗；修订2.0则减少了读取周期（tCYC）从12ns到10ns，提高了读取速度；最后，修订3.0更改了直流工作条件下的Icc（集成电路总电流消耗）及其相关参数，优化了不同温度下的电源管理。 这些变更体现了三星电子在不断优化其NtRAM产品的性能和能效，确保产品在各种环境条件下都能稳定工作。对于使用或设计包含此类存储器的系统工程师来说，这份数据手册是至关重要的参考资料，它提供了详细的技术参数、操作条件和电气特性，有助于正确选择和使用这些NtRAM芯片。