英飞凌IPB117N20NFD MOSFET 200V中文规格手册：低阻抗、高耐寒

英飞凌(INFINEON)的IPB117N20NFD是一款高性能的200伏特(N-channel)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，它专为硬开关应用设计，具备卓越的耐用性和低导通电阻(RDS(on))特性。这款MOSFET的主要特点包括： 1. **快速二极管特性**：通过减少二次击穿电荷(Qrr)，IPB117N20NFD能够在高频和大电流下实现高效的电路切换，有助于提高系统的响应速度和效率。 2. **耐受性强**：优化设计使得该器件在硬开关条件下表现出优异的抗冲击能力，适合于对耐受性有高要求的应用环境。 3. **低阻值导通**：其最大导通电阻(RDS(on))仅为11.7毫欧姆(mΩ)，这意味着在给定电压下，电流的传输损耗非常低，能有效降低发热并提高能源转换效率。 4. **高温工作环境**：IPB117N20NFD能在高达175°C的温度下稳定运行，确保在高温条件下也能保持性能。 5. **环保与合规性**：该产品采用无铅(Pb-free)镀层，符合RoHS标准，同时符合JEDEC标准1)，在设计时充分考虑了环境保护。此外，还符合IEC61249-2-21关于无卤素的规定，确保了产品的安全和可持续性。 6. **封装与标记**：IPB117N20NFD采用D²PAK封装，便于散热和安装，并且标有117N20NF的型号代码。其引脚配置明确，便于电路设计。 7. **电气参数**：如表1所示，其最大集电极电压(VDS)为200伏特，最大允许电流(ID)为84安培(A)，这些参数是选择和使用该器件的关键参考数据。 8. **技术文档**：该规格书为Rev. 2.0版本，最后更新日期为2014年2月6日，包含了完整的描述、最大额定值、热特性等详细信息，方便工程师进行选型和设计。 9. **链接与支持**：手册末尾提供了相关的链接，可能包含产品手册、应用指南、技术支持和其他相关资源，以便用户获取更深入的技术支持。 IPB117N20NFD是英飞凌的一款关键功率管理组件，针对工业级应用提供高效、耐久和低损耗的解决方案，适用于需要在严苛条件下工作的设备。在选择和使用此类元件时，应仔细查阅规格书，确保满足项目需求和安全规范。