STU417S-VB:TO252封装P沟道MOSFET,低导通电阻负载开关选择
STU417S-VB是一种P沟道TO252封装MOSFET,它是一款高性能、环保型的沟槽场效应晶体管(Trench FET)。该MOSFET的主要特点包括: 1. **环保特性**:符合IEC61249-2-21标准,不含卤素,符合现代电子设备对无卤化物的要求,有助于降低对环境的影响。 2. **技术规格**: - **电压参数**:VDS(漏极-源极电压)最大可承受-30V,而VGS(门极-源极电压)的工作范围在±20V。 - **电流规格**:连续漏极电流ID在室温(TJ=25°C)下可达-40A,在70°C时为-35A。对于脉冲条件下的漏极电流限制(IDM)为-150A。 - **保护特性**:源极-漏极二极管电流IS在室温下为-3.5A,且在不同温度下有所变化。 - **功率处理能力**:最大功率损耗(PD)在25°C时为40W,在70°C时为27W,注意这些值是在特定条件下的典型值和极限值。 3. **温度范围**:MOSFET的操作和存储温度范围是-55°C至150°C,具有良好的热管理特性,如Junction-to-Ambient热阻RthJA典型值为40°C/W,最大值为50°C/W。 4. **封装形式与应用**:STU417S-VB适合于负载开关和电池开关等应用,特别适合表面安装在1"x1"FR4板上,且在10秒内能承受高达95°C/W的热功率密度。 5. **测试保证**:这款MOSFET通过了100%的Rg(漏极寄生电容)测试,确保了器件的稳定性和可靠性。 在设计电路时,应考虑到这些参数的限制和工作条件,例如在高温下运行时可能需要散热措施,而在选择电源电压和电流时要确保它们不会超过MOSFET的额定值。总体而言,STU417S-VB是一款适用于各种低功耗到中等功率应用的高效、安全的P沟道MOSFET。
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