本文档详细介绍了2SK3147STL-E-VB型号的N沟道MOSFET,该器件属于TrenchFET®系列的功率MOSFET,专为高效和高可靠性设计。它具有以下主要特性: 1. **技术规格**: - N沟道,最高耐压可达100V(D-S电压)。 - 集成了先进的TrenchFET结构,有助于降低导通电阻(RDS(on)),在10V VGS时,其典型值为115mΩ,而在4.5V时则为121mΩ。 - 高达1.6V的阈值电压(Vth)。 - TO252封装,适合表面安装在1"x1" FR4板上。 2. **性能参数**: - 最大连续漏极电流(ID)在25°C条件下,10V VGS下的额定值为10A,而在125°C时降为13A(脉冲模式下)。 - 具有3A的连续源电流(IS),以及3A的雪崩电流(IAS)。 - 单次脉冲雪崩能量(EAS)在0.1mH电感下达到18mJ。 - 最大允许功率损耗(PD)在25°C下为96W,但在特定条件下可能有所不同。 3. **环境条件**: - 安全工作温度范围宽广,从-55°C到175°C,满足RoHS 2002/95/EC指令的要求。 - 提供了热阻等级,如Junction-to-Ambient(RthJA)典型值为15°C/W,Steady State Junction-to-Case(RthJC)为0.85°C/W。 4. **应用领域**: - 该MOSFET适用于初级侧开关等需要高电压和大电流控制的场合。 5. **安全注意事项**: - 在使用过程中,需参考安全操作区(SOA)曲线来确保电压降不会超过设备的限制。 总体来说,2SK3147STL-E-VB是一款高性能、耐高温的N沟道MOSFET,适用于对电源效率和散热管理有严格要求的电子设备中,如开关电源、电机驱动器或高电压电路设计。设计者在选择和应用时,应充分考虑其电流、电压和温度限制,以及散热策略。
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