2N7002CK-VB:低阈值N沟道SOT23 MOSFET
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更新于2024-08-03
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"2N7002CK-VB是一种N沟道SOT23封装的MOSFET,适用于低电压、高速电路应用,如直接逻辑级接口、驱动器和电池供电系统。这款MOSFET具有低阈值电压、低输入电容、快速开关速度和低输入及输出泄漏电流等特点。"
2N7002CK-VB是一款由N沟道技术制造的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它采用小型SOT23封装,这使得它适合在空间有限的电路设计中使用。该器件的主要特性包括:
1. **低阈值电压**:2N7002CK-VB的阈值电压仅为2V(典型值),这意味着它可以在较低的栅极电压下开启,降低了驱动电路的复杂性。
2. **低输入电容**:25pF的低输入电容确保了快速的开关响应,有利于高频率操作,减少了信号延迟。
3. **快速开关速度**:开关速度快至25ns,这对于需要快速切换的应用,如高频开关电源或数字电路,是理想的。
4. **低输入和输出泄漏电流**:这减少了静态功耗,提高了系统的效率,并降低了在待机模式下的电流消耗。
5. **TrenchFET®技术**:采用TrenchFET结构,可以实现更高的密度和更低的导通电阻,同时提供更好的热性能。
6. **1200V ESD保护**:设备内置了1200V的静电放电保护,增强了其在使用过程中的抗静电能力,增加了可靠性。
7. **符合RoHS标准**:2N7002CK-VB遵循IEC61249-2-21标准,不含卤素,符合RoHS指令2002/95/EC,对环境友好。
这种MOSFET的主要应用包括:
- **直接逻辑级接口**:可以直接与TTL/CMOS逻辑电路配合工作,无需额外的电平转换。
- **驱动器**:适合驱动各种负载,如继电器、电磁阀、照明、锤子、显示设备、内存、晶体管等。
- **电池供电系统**:由于其低功耗和小尺寸,适合在便携式设备和电池驱动的电子设备中使用。
- **固态继电器**:作为固态开关元件,提供无机械触点的可靠切换。
绝对最大额定值(在25°C时,除非另有说明):
- **漏源电压VDS**:60V
- **栅源电压VGS**:±20V
- **连续漏极电流(TJ=150°C)**:在25°C时为250mA,在100°C时为150mA
请注意,这些参数都是在特定条件下测试的,实际应用时应确保不超过这些限制,以确保器件的稳定性和寿命。
2024-01-03 上传
2023-12-25 上传
2024-01-03 上传
2023-12-21 上传
2023-12-19 上传
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2023-12-20 上传
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