STP80NF06-VB: 60V N沟道TO220封装高功率MOSFET

STP80NF06-VB是一种高性能的N沟道MOS场效应晶体管，它采用Trench FET®技术，具备TO220AB封装。这款MOSFET的主要特点包括： 1. **高温耐受性**：STP80NF06-VB能承受高达175°C的结温，确保在极端工作环境下仍能保持稳定性能。 2. **电压与电流能力**： - **栅源电压范围**：该器件允许的最大栅源电压为±20V，提供足够的电气隔离。 - **连续漏极电流**：在标准条件下（TJ=25°C），最大连续漏极电流可达120A；当温度升至100°C时，下降到90A。 - **脉冲漏极电流**：短时间下的最大脉冲漏极电流为350A。 - **连续源电流**：在二极管导通模式下，源电流可达到70A。 - **雪崩电流**：单个雪崩能量限制为125mJ，适用于1%的占空比。 3. **功率处理能力**：在25°C环境温度下，最大功率耗散为136W，对于表面安装时，可能受限于封装。 4. **温度范围**：该MOSFET的工作结温范围为-55°C至175°C，储存温度范围同样广泛。 5. **热阻特性**： - **结-环境热阻**：在不超过10秒的短暂热冲击下，最大结-环境热阻为15°C/W，而在稳态条件下为40°C/W。 - **结-管壳热阻**：最大结-管壳热阻为0.85°C/W，适用于标准情况，但可能增加至1.1°C/W。 6. **封装规格**：STP80NF06-VB采用TO220AB封装，适合于标准电路板安装。 7. **产品概述**： - 漏源电压等级为60V，栅源电压为10V时的开启导通电阻（RDS(on））仅为5mΩ，显示出良好的开关性能。 - 提供了单个MOSFET配置选项，同时提供了400-655-8788的服务热线以获取技术支持。 STP80NF06-VB是一款专为工业级应用设计的高可靠性和高性能N沟道MOSFET，适用于需要高效率、高散热能力和宽温度范围的电源管理或开关控制电路中。