半导体器件与电路解析：童诗白模电课后习题解答

"模电课后答案，童诗白" 这篇资料是关于模拟电子技术课程的课后习题解答，特别适合用于考试复习。内容涵盖了半导体器件的基础知识，包括PN结、二极管、晶体管以及场效应管等关键概念。 一、半导体器件基础知识 1. N型半导体掺入三价元素可以转变为P型半导体，因为在N型半导体中，多子是自由电子，而P型半导体的多子是空穴。因此，添加三价元素（如硼）会增加空穴的数量，形成P型半导体。（1）正确。 2. N型半导体虽然多子是自由电子，但整个半导体并不带负电，因为半导体内部正负电荷总数相等，只是自由电子数量相对较多。（2）错误。 3. PN结在无光照、无外加电压时，由于扩散和漂移达到动态平衡，结电流接近于零。（3）正确。 4. 放大状态的晶体管中，集电极电流是由电子和空穴的复合以及漂移运动共同形成的，并非仅由多子漂移运动决定。（4）错误。 5. 结型场效应管的栅-源间耗尽层承受反向电压时，可以增大电阻，从而实现电流控制。（5）正确。 6. 对于耗尽型N沟道MOS管，UGS大于零时，输入电阻不会明显变小，而是会随着UGS增加而减小，进入饱和区。（6）错误。 二、选择题涉及知识点 1. PN结加正向电压时，空间电荷区变窄，有利于电流通过。（1）A。 2. 二极管的电流方程是基于Shockley理想二极管方程，当二极管两端电压为U时，电流I与U的关系为I = IS(e^(U/UT) - 1)，其中IS是饱和电流，UT是热电压。（2）C。 3. 稳压管在反向击穿区工作时能提供稳定的电压输出，即稳压区。（3）C。 4. 晶体管放大区要求发射结正偏，集电结反偏，以形成基区的少数载流子注入到集电极，实现电流放大。（4）B。 5. UGS=0V时，结型和耗尽型MOS管可以工作在恒流区，而增强型MOS管需要栅极电压来开启通道。（5）AC。 三、电路分析 这部分涉及实际电路计算，例如求解不同电路配置下二极管的输出电压，例如UO1、UO2等。这些计算基于二极管的导通电压UD和电路的其他参数。 四、稳压管的应用 稳压管在电路中的作用是维持一个稳定的电压，即使输入电压变化。在图示电路中，稳压管的稳压值UZ和最小稳定电流IZmin被用来计算输出电压。 五、晶体管的过损耗区 过损耗区是指晶体管集电极电流超过其最大允许值，导致集电极-发射极电压UCE下降，可能损坏晶体管。根据集电极最大耗散功率PCM，可以确定不同UCE下的最大IC，画出过损耗区的边界。 这个资源对理解模拟电子技术的基本概念和计算方法提供了丰富的练习和解析，有助于巩固学习者的理论知识和应用技能。