20V SOT23 P-Channel MOSFET CPH3350-TL-H-VB:低阻值与特性概览

CPH3350-TL-H-VB是一款采用SOT23封装的P-Channel场效应MOS管，它专为低电压、大电流应用设计。这款MOSFET具有以下关键特性： 1. 封装类型：SOT23封装，这是一种小型、薄型封装，适用于表面安装技术（SMT），方便在小型电路板上实现高密度集成。 2. 沟道类型：P-Channel，这意味着它是N型半导体材料上的P型半导体，适用于在正偏置条件下导通，即当栅极电压（VGS）为正时。 3. 电压参数： - Drain-Source Voltage (VDS): 最大工作电压为-20V，这是在正常操作下的允许最大源极和漏极之间的电压差。 - Gate-Source Voltage (VGS): 工作范围为±12V，包括了标准操作电压（如4.5V）和脉冲峰值电压（如-10V）。 4. 电流规格： - Continuous Drain Current (ID): 在25°C时，持续漏极电流可达-4A，而在70°C时有所降低至-3.2A。 - Pulsed Drain Current (DM): 允许的最大脉冲漏极电流为-10A。 - Continuous Source-Drain Diode Current (IS): 在25°C下，持续源极漏极二极管电流为-2A。 5. 功耗与散热： - Maximum Power Dissipation (PD): 在25°C下，最大功率损耗为2.5W，随着温度升高，限制更为严格。 - Thermal Resistance Ratings: 提供了热阻值，如Junction-to-Ambient (RthJA)典型值为75°C/W，表示元件内部结温到环境温度的热阻。 6. 温度范围：该器件的正常工作温度范围为-55°C到150°C，存储温度更低，强调了其在宽温环境中的稳定性。 7. 特性优势： - Halogen-free: 表明该MOSFET不含卤素，符合环保要求，对于某些应用可能是必要的选择。 这款CPH3350-TL-H-VB场效应MOS管适用于对功率密度要求高的开关应用，尤其是在需要紧凑尺寸和低导通电阻的场合。在设计电路时，需注意其操作条件、安全工作区（SWA）以及功耗限制，确保正确选择和使用。