英飞凌BSS126 SIPMOS®小信号晶体管技术规格

"BSS126 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册" 本文将详细解析BSS126 INFINEON英飞凌芯片的主要特性、技术规格和应用领域。BSS126是一款N沟道耗尽模式的小信号晶体管，其设计与性能特点如下： 1. **特性** - **N通道**：这意味着该器件为N型沟道，通常在较低的栅极电压下就能开启。 - **耗尽模式**：在无栅极电压时，BSS126即具有导通能力。 - **dv/dt评级**：器件能够承受高速变化的漏极-源极电压（dv/dt），适合于高速开关应用。 - **VGS(th)指示器**：在卷轴上可用，便于识别开启电压。 - **无铅电镀**：符合RoHS标准，环保无铅。 - **AECQ101资格认证**：通过了汽车电子委员会的可靠性标准测试，适合于汽车电子应用。 - **卤素免费**：根据IEC61249-2-21标准，不含有卤素，符合绿色环保要求。 2. **技术规格** - **最大漏-源电压（VDS）**：600V，表明该晶体管能承受较高的电压差。 - **最大漏极-源极导通电阻（RDS(on),max）**：700Ω，这决定了器件在导通状态下的内阻，影响效率和发热。 - **最小漏极饱和电流（IDSS,min）**：0.007A，表示在零栅极电压时的漏极电流。 3. **封装信息** - **类型**：PG-SOT-23，一种小型表面贴装封装，适用于空间有限的应用。 - **无铅**：封装材料不含铅，符合RoHS标准。 - **Tape and Reel Information**：提供了卷带和卷盘的包装规格，便于自动化生产线的使用。 4. **最大额定值** - **连续漏极电流（ID）**：在25°C和70°C时有不同的最大值，分别为0.021A和0.017A。 - **脉冲漏极电流（ID,pulse）**：在特定条件下可承受更高的瞬时电流。 - **反向二极管dv/dt**：规定了器件在反向偏置时能承受的最大电压变化速率。 - **栅源电压（VGS）**：最大栅源电压为±20V。 - **功率损耗（Ptot）**：在25°C环境温度下的最大允许功率为0.50W。 - **工作和存储温度范围（Tj,Tstg）**：-55°C至150°C，适用于宽温环境。 - **IEC气候类别**：55/150/56，表示在55°C湿度和150°C温度下的测试条件。 5. **应用** - BSS126常用于需要高速切换、低功耗和高可靠性的电路，如电源管理、电机控制、信号调理和接口电路等。 - 在汽车电子、消费电子和工业控制等领域有广泛应用。 BSS126 INFINEON英飞凌芯片以其独特的特性和优异的技术规格，成为许多需要高性能、小型化和高可靠性的电子设计的理想选择。