IRFB7434PBF: 低内阻MOSFET技术规格与应用
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更新于2024-08-28
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"IRFB7434PBF是一款低内阻MOSFET,属于StrongIRFET™系列,由HEXFET®技术制造。这款器件常用于电机驱动、电池供电电路、半桥和全桥拓扑结构、同步整流器、谐振模式电源供应、冗余电源开关、DC/DC和AC/DC转换器以及DC/AC逆变器等应用。其主要优势在于增强的栅极、雪崩和动态dV/dt耐受性,全面表征的电容和雪崩安全工作区,以及改进的体二极管dV/dt和dI/dt能力。该器件的最大漏源电压为40V,典型漏源导通电阻为1.25mΩ,最大值为1.6mΩ,硅片限制下的持续漏电流可达317A,而封装限制下的最大漏电流为195A。产品采用TO-220AB封装,符合RoHS标准,无铅且不含卤素。"
在深入了解IRFB7434PBF的知识点时,我们可以关注以下几个方面:
1. **MOSFET类型**:IRFB7434PBF是场效应晶体管(MOSFET)的一种,具体来说是增强型N沟道MOSFET,采用HEXFET®技术,具有低内阻特性,适合高效率和大电流应用。
2. **应用领域**:这款器件广泛应用于电机控制,如刷式电机和无刷直流电机驱动,以及电源管理领域,如电池供电系统、半桥和全桥功率转换结构、同步整流、谐振电源等。它还能用作冗余电源开关,以及各种电源转换器的元件。
3. **电气特性**:IRFB7434PBF的漏源电压(VDSS)为40V,这意味着它能承受的最大电压差是40V。低RDS(on)(导通电阻)意味着在满载条件下,器件在导通状态下产生的电压降较小,从而降低功耗和发热。此外,其最大持续漏电流表明了该器件可以处理大电流负载。
4. **性能优势**:增强的栅极耐受性提高了器件对控制信号变化的稳定性,而更高的雪崩和动态dV/dt耐受性则增加了其在恶劣环境下的可靠性。增强的体二极管特性使其在反向恢复时表现更佳,减少能量损失。
5. **封装与兼容性**:采用TO-220AB封装,适合表面贴装或通孔安装,便于在不同设计中使用。同时,其符合RoHS和无铅标准,符合当前环保要求。
6. **操作条件**:图1显示了典型的漏源导通电阻随栅极电压的变化,图2展示了最大漏电流随封装温度的变化,这些图形提供了在不同工作条件下的性能参考。
IRFB7434PBF是一款高性能的低内阻MOSFET,适用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用,其优秀的电气特性和兼容性使其成为众多电源解决方案的理想选择。
2023-05-27 上传
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2023-05-27 上传
2023-05-27 上传
2023-05-27 上传
2023-05-29 上传
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2023-05-30 上传
qq_31891423
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