半导体二极管参数详解:关键符号与含义
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更新于2024-09-04
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本文详细阐述了半导体二极管的重要参数及其符号,这些参数对于理解和应用二极管至关重要,涵盖了电容、电流、电压等多个方面。
半导体二极管是电子技术基础中的关键元件,其性能参数对器件的正常工作和电路设计有着直接影响。以下是一些主要的参数及其含义:
1. **电容**:
- **CT**:势垒电容,指的是二极管内部的电容,与二极管两端的电压有关。
- **Cj**:结(极间)电容,表示在一定偏压下的二极管总电容。
- **Cjv**:偏压结电容,随着偏置电压的变化而变化。
- **Co**:零偏压电容,二极管无电压偏置时的电容。
- **Cjo**:零偏压结电容,二极管在零偏压条件下的结电容。
- **Cjo/Cjn**:结电容变化,反映结电容随电压变化的比例。
- **Cs**:管壳电容或封装电容,包括二极管外部封装材料引起的电容。
- **Ct**:总电容,包括所有内部和外部电容的总和。
- **CTV**:电压温度系数,描述电压随温度变化的比例。
- **CTC**:电容温度系数,表示电容值随温度变化的敏感度。
2. **电流**:
- **IF**:正向直流电流,二极管在规定电压下通过的电流。
- **IF(AV)**:正向平均电流,用于交流电路中计算平均值。
- **IFM(IM)**:正向峰值电流,二极管能承受的最大瞬时电流。
- **IH**:维持电流,保持二极管导通所需的最小电流。
- **Ii**:发光二极管起辉电流,使其开始发光的最小电流。
- **IFRM**:正向重复峰值电流,可重复施加的峰值电流。
- **IFSM**:正向不重复峰值电流,一次性的浪涌电流。
- **Io**:整流电流,实际应用中的工作电流。
- **IF(ov)**:正向过载电流,超出正常范围的电流。
- **IL**:光电流或稳流二极管的极限电流。
- **ID**:暗电流,二极管未受光照时的微小电流。
- **IB2**:单结晶体管的基极调制电流。
- **IEM**:发射极峰值电流。
- **IEB10/IEB20**:双基极单结晶体管的相关反向电流。
- **ICM**:最大输出平均电流,晶体管可提供的最大电流。
- **IFMP**:正向脉冲电流,短时间内通过的脉冲电流。
- **IP**:峰点电流。
- **IV**:谷点电流。
- **IGT**:晶闸管的控制极触发电流。
- **IGD**:晶闸管不触发时的控制极电流。
- **IGFM**:控制极正向峰值电流。
3. **反向参数**:
- **IR(AV)**:反向平均电流,反向偏置时的平均电流。
- **IR(In)**:反向直流电流,反向偏置时的漏电流。
- **IRM**:反向峰值电流,反向电压下能承受的最大瞬时电流。
- **IRR**:晶闸管反向重复平均电流。
- **IDR**:晶闸管断态平均重复电流。
- **IRRM**:反向重复峰值电流。
了解这些参数有助于选择适合特定应用的二极管,并确保其在各种工作条件下稳定可靠。在电路设计中,正确理解和运用这些参数可以避免过载、短路等潜在问题,从而提高设备的性能和寿命。
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