FDS9953-NL-VB：SOP8封装双P-Channel MOSFET技术规格

"FDS9953-NL-VB是一款由VB Semi生产的SOP8封装的双P-Channel场效应MOSFET，主要特点包括无卤素、TrenchFET技术以及100%UIS测试。这款MOSFET适用于负载开关等应用。其关键参数包括：最大漏源电压VDS为-30V，门源电压VGSS为±20V，当VGS = -10V时的RDS(on)为35mΩ，而VGS = -4.5V时的RDS(on)为45mΩ。持续漏极电流ID在不同温度下有所变化，最大脉冲漏极电流DM和雪崩电流IA也给出了规格。此外，还提供了热特性如最大功率耗散PD和结温范围TJ及TS。" FDS9953-NL-VB是一款双P-Channel沟道的场效应MOSFET，采用先进的TrenchFET工艺，这是一种深度沟槽结构的MOSFET技术，能提供更好的开关性能和更低的导通电阻，从而降低功耗和发热。器件的封装形式为SOP8，适合在表面安装到电路板上。它具有无卤素的环保特性，满足了现代电子产品对环保材料的要求。 在电气特性方面，FDS9953-NL-VB的最大漏源电压VDS为-30V，这意味着它可以在负30V的电压范围内工作，而不损坏MOSFET。门源电压VGSS的最大值为±20V，这定义了MOSFET可以承受的栅极电压范围。对于P-Channel MOSFET，导通状态发生在栅极电压低于源极电压时，即VGS为负值。在VGS = -10V时，RDS(on)仅为35mΩ，这意味着在低电压下，MOSFET的电阻非常低，允许大电流通过。同样，当VGS = -4.5V时，RDS(on)上升至45mΩ，但仍然保持在较低水平，确保了良好的开关效率。 这款MOSFET的连续漏极电流ID在不同温度下有不同的额定值，例如，在25°C时，ID可达-7.3A，而在70°C时，ID则下降到-5.9A。这些数据表明器件的电流能力随温度升高而减小，需要在设计时考虑散热问题。此外，器件的脉冲漏极电流DM和连续源漏二极管电流IS也有明确的规格，以防止过载和保护二极管。 在安全操作方面，FDS9953-NL-VB经过了100%的UIS测试，这是一种确保器件在过电压情况下的安全性的重要测试。而热特性方面，最大功率耗散在25°C和70°C时分别为5.0W和1.6W，表明该MOSFET在不同温度下的散热能力。结温和存储温度范围是-55到150°C，保证了器件在宽温范围内的稳定工作。 最后，热阻抗参数（如θJA和θJC）对于评估MOSFET的热性能至关重要，它们描述了器件内部产生的热量如何有效地散发到周围环境中。这些数值影响着器件在实际应用中的温度上升，对于散热设计至关重要。 FDS9953-NL-VB是一款高性能的双P-Channel MOSFET，适用于需要高效能、低功耗和良好热管理的负载开关应用。在设计电路时，必须充分考虑其电气特性和热特性，以确保其在各种工作条件下稳定可靠地运行。