TCAD方法优化1.5μm铝栅CMOS工艺与电路设计降低成本

本文主要探讨了利用计算机辅助工艺设计（TCAD）方法优化金属栅CMOS工艺及电路设计的过程，以降低集成电路制造的成本。研究团队首先通过3μm金属铝栅工艺对模拟软件TSUPREM-4和器件模拟软件MEDICI进行了校准，确保了模拟的精确性。接着，他们针对1.5μm短沟道CMOS工艺进行了深入的器件结构、工艺参数以及电气性能的模拟，目标是实现最简约的工艺流程并在现有生产线中成功实现1.5μm铝栅CMOS的生产。 在实验中，实际测试结果显示，1.5μm铝栅CMOS的阈值电压达到了±0.6V，击穿电压高达11V，这表明工艺的性能表现优秀。模拟结果与实际测试的误差控制在5%以内，证明了TCAD方法在工艺开发中的有效性。此外，研究者还将工艺开发与电路设计紧密结合，通过电路性能验证了工艺技术的可靠性。 TCAD方法在集成电路和分立器件设计与制造中的应用日益显著，它不仅有助于提高生产效率，降低成本，还能优化设计过程，确保产品的高质量和可靠性。论文强调了利用TCAD技术对于推动现代微电子技术发展的重要性，尤其是在金属栅CMOS工艺领域，它已经成为不可或缺的关键工具。 总结来说，这篇文章的核心内容围绕着如何通过TCAD方法优化金属栅CMOS工艺设计，包括校准模拟软件、模拟和验证工艺参数，以及在实际生产中的应用效果。这种创新的技术手段对降低芯片制造成本、提升电路性能和设计效率具有重要意义，是现代集成电路技术发展的重要里程碑。