HY62256AJ-55：高性能低功耗32Kx8位CMOS SRAM芯片

本文档介绍了Hynix生产的HY62256AJ-55型32Kx8位CMOS静态随机存取内存（SRAM）芯片。该产品是基于 Hyundai 高性能CMOS工艺制造的，旨在提供高速度、低功耗的特性。以下是关于HY62256A/HY62256A-I芯片的关键特性和规格： 1. **特性**： - **数据保留模式**：这款内存具有独特的数据保留功能，即使在最小供电电压（2.0伏）下也能确保数据保持有效。 - **电源效率**：利用CMOS技术，该芯片在数据保留模式下的供电电压变化范围（2.0至5.5伏）对供应电流影响极小，特别适合于低电压应用和电池备用系统。 - **操作模式**：采用全静态操作和三态输出，支持TTL兼容的输入和输出，提供了灵活性和兼容性。 - **功耗**：正常工作时的电流为1毫安，而在待机状态下电流低至100微安。 2. **具体型号规格**： - **产品编号**：HY62256A - **电压**：5.0伏，提供三种速度等级，分别为55ns/70ns/85ns（典型/最大/极限） - **功耗**：正常操作时电流1毫安，待机时电流为250微安（正常温度条件下的值，适用于-20°C至+70°C的环境） - **封装类型**： - 28脚600mil PDIP（双列直插式封装） - 28脚330mil SOP（小外形封装） - 28脚8x13.4mm TSOP-1（标准和反向封装） 3. **适用场景**： - HY62256A/HY62256A-I内存因其低功耗和数据保留能力，非常适合于对电源效率有高要求的系统，如便携设备、电池供电设备以及需要长时间存储数据的嵌入式系统。 4. **来源**： 文档链接：[DataSheet-sram/62256ald1](http://www.hea.com/hean2/sram/62256ald1.htm)，提供更详细的规格和技术信息。 Hynix的HY62256AJ-55是一款高性能、低功耗的CMOS SRAM，对于追求高效能和电池寿命的电子设计工程师来说是一个理想选择。了解并利用这款内存芯片的特性，可以帮助优化系统设计并提升整体性能。