三星K4B4G1646D内存芯片数据手册
"K4B4G1646D是一款由三星电子生产的内存芯片,具体类型可能为DDR3或DDR4 SDRAM。该手册的版本为Rev.0.0,发布于2010年11月。三星电子保留不事先通知而更改产品和规格的权利。手册中的所有信息仅供参考,且按“原样”提供,不提供任何类型的保证。文档及其包含的信息是三星电子的独家财产,不通过暗示、禁止反言或其他方式授予任何专利、版权、掩模工作、商标或其他知识产权的许可。 K4B4G1646D芯片不应用于生命支持、重症监护、医疗、安全设备或类似应用,因为产品故障可能导致生命或人身伤害,也不应用于军事或国防应用,或受到特殊条款或规定约束的政府采购项目。对于三星产品的更新或更多信息,应联系最近的三星办事处。所有品牌名称、商标和注册商标均属于各自所有者的财产。该文档的版权属于2010年的三星电子。" 在深入讨论K4B4G1646D这个特定型号之前,我们先理解一些基本概念。内存芯片通常分为几种类型,包括DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态随机存取存储器),其中DRAM分为DDR(双倍数据速率)、DDR2、DDR3、DDR4等代际。根据上下文,K4B4G1646D可能是DDR3 SDRAM,因为它没有明确提及DDR4,而且2010年是DDR3技术广泛应用的时期。 该芯片的命名结构通常包含关于其容量和速度的信息。例如,"K4B4G1646D"可以解读为: - "K4B"可能是三星内部的系列代码。 - "4G"可能代表4千兆位(即512MB),因为1GB等于8千兆位。 - "16"可能表示有16个内存单元bank,这在DDR3中常见。 - "46"可能与芯片的速度等级有关,例如DDR3-1333、DDR3-1600等。 - "D"可能是表示芯片的版本或特性,如低功耗(LPDDR)或其他特定功能。 不过,由于具体细节未给出,这些解读仅是基于常见的内存芯片命名惯例。实际的规格,如工作电压、时序参数(CL、tRCD、tRP、tRAS等)、额定频率、封装类型等,都需要查阅完整的数据手册来获取。 在设计和使用K4B4G1646D时,工程师需要考虑兼容性、电源管理、热设计、时序设置以及系统级的内存控制器配置。此外,由于它不适合关键应用,所以在选用此芯片时,必须确保其符合系统的要求,并且在非关键环境中使用。 K4B4G1646D是一款三星内存芯片,适用于非关键用途,而详细的规格和性能参数需要查看完整数据手册以获取准确信息。在设计和使用过程中,用户需遵循三星提供的指南,以确保系统的稳定性和合规性。
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