"高等计算机体系结构-第十一讲：主存储器操作及延迟处理机制"

高等计算机体系结构-第十一讲-预习版1；1. 译码行地址并驱动字线2. 选择位驱动位线3. 放大行数据4. 译码列地址并选择行的5. 预充电位线 本文将对高等计算机体系结构第十一讲进行总结。该讲座主题为主存储器系统中的主存储器，具体内容围绕存储芯片/系统的抽象展开。 首先，存储器系统中的主存储器被分为多个存储Bank，接下来的讲解将围绕读访问过程进行。读访问过程主要包括以下几个步骤： 第一步，译码行地址并驱动字线。在这一步中，行地址被译码，并通过驱动字线的方式使得对应的行被选通，准备进行读取操作。 第二步，选择位驱动位线。在译码行地址完成后，选择位驱动位线的过程开始，该步骤的目的是为了选择需要读取的位。 第三步，放大行数据。在选择位驱动位线完成后，对选中的行进行放大操作，获取行数据。 第四步，译码列地址并选择行的子集。在放大行数据完成后，列地址被译码，并通过选择行的子集的方式，将需要读取的数据发送至输出。 第五步，预充电位线。在前面的步骤完成后，预充电位线的操作将为下一次访问做准备。 在回顾了存储器Bank的组织和操作后，讲座进一步介绍了SRAM的工作原理。SRAM采用的是6位单元阵列，具体组织形式为2n行乘以2m列，其中n和m的取值尽量使得总延迟最小化。 SRAM进行读操作主要包括以下几个步骤： 首先是地址译码，即对行地址进行译码，得到相应的行选通位线。 然后是驱动行选通，将选择位线信号传输到选定的行。 接下来是被选的位单元驱动位线，即一次性读取整行数据。 然后是差分感应并选通列，此时数据已经准备好，可以进行读取。 最后是预充电所有位线，为下一次读或写做准备。 在读取操作中，第二、三、五步是产生访存延迟的主要阶段。 通过对高等计算机体系结构第十一讲的总结，我们了解到了主存储器系统中的主存储器的组织和操作方式。这些步骤对于实现高效的数据读取操作至关重要，同时也帮助我们理解了SRAM的工作原理。对于计算机体系结构的学习和理解有着重要的意义。