SI2324DS-T1-GE3 MOSFET技术规格与应用解析
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更新于2024-08-03
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"SI2324DS-T1-GE3-VB MOSFET是一款N沟道的电力MOSFET,适用于100V的工作电压,具有低的RDS(ON)特性,分别在10V、4.5V的门极电压下达到246mΩ和260mΩ。这款MOSFET适用于DC/DC转换器、负载开关以及LCD电视的LED背光照明等应用。其特点包括TrenchFET技术、通过100%Rg和UIS测试,且材料分类明确。"
**MOSFET产品特性:**
- **TrenchFET技术**:这种技术利用沟槽结构来实现更小的尺寸和更低的导通电阻,提高了效率和热性能。
- **100% Rg和UIS测试**:确保了产品的可靠性和安全工作能力,Rg测试是检查栅极电阻,UIS测试则验证其承受过电压的能力。
- **应用领域**:包括电源管理中的DC/DC转换器,用作负载开关,以及在LCD电视中的LED背光驱动,展示了其在各种应用中的广泛适应性。
**关键参数:**
- **VDS(漏源电压)**:最大值为100V,保证了MOSFET在高电压环境下也能稳定工作。
- **RDS(ON)(导通电阻)**:在10V和4.5V的门极电压下分别为246mΩ和260mΩ,这使得在低电压操作时也能保持低损耗。
- **ID(连续漏电流)**:在不同温度下有不同的最大值,如在25°C时为2A,70°C时降为1.6A,体现了温度对电流承载能力的影响。
- **Qg(总栅极电荷)**:2.9nC的低栅极电荷意味着快速的开关性能和较低的开关损耗。
**绝对最大额定值:**
- **VGS(门源电压)**:±20V,确保了门极控制的安全范围。
- **ID(连续漏电流)**:在不同条件下有不同限制,如在25°C时可连续通过2A电流,但随着温度升高,该值会下降。
- **IS(连续源漏二极管电流)**:允许通过的二极管电流,反映了MOSFET内部二极管的耐受能力。
- **PD(最大功率耗散)**:在特定温度下,如25°C时为2.5W,温度升高时,该值会相应减少,表明了散热的重要性。
**热特性:**
- **最大结温及存储温度范围**:-55°C至150°C,确保了器件在宽温范围内正常工作。
- **热阻抗**:提供了器件从结到环境的热量转移效率,对散热设计至关重要。
总结,SI2324DS-T1-GE3-VB MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于需要高效能、低损耗和可靠性的电源管理应用。其低RDS(ON)、TrenchFET技术和严格的测试标准确保了其在DC/DC转换、负载切换及LED背光驱动等领域的出色表现。同时,用户在设计时需考虑其电流、电压、功率耗散及热管理限制,以确保器件的长期稳定运行。
2023-10-26 上传
2023-10-27 上传
2023-11-14 上传
2023-10-23 上传
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2023-10-12 上传
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