256Gb NAND Flash Die: MT29F256G08EBCAG-M 技术规格

"MT29F256G08EBCAG-M 是一款由Micron Technology制造的256Gb NAND闪存芯片，适用于媒体应用。这款芯片采用B16A封装，支持Open NAND Flash Interface (ONFI) 4.0协议和JEDEC NAND闪存接口互操作性标准（JESD230C），并使用了三阶单元（TLC）技术。" 详细说明: 这款NAND闪存芯片的核心特性包括： 1. 接口兼容性： - ONFI 4.0兼容：这意味着该芯片遵循Open NAND Flash Interface 4.0规范，提供了一种标准化的方式来与主机系统进行通信，提高了数据传输的效率和可靠性。 - JEDEC JESD230C兼容：确保了与其他符合JEDEC标准的设备之间的互操作性，保证了在不同平台上的通用性。 2. 存储技术： - TLC技术：采用三阶单元设计，每个存储单元可以存储3位数据，提供更高的存储密度，但相对于单阶单元（SLC）和双阶单元（MLC），写入速度和耐用性可能会稍低。 3. 组织结构： - 页面大小：每页8位宽，大小为18,592字节（其中16,384字节用于用户数据，2208字节为辅助数据）。 - 块大小：包含2304个页面，总计约36,864K+4968K字节。 - 平面大小：2个平面，每个平面有504个块。 - 总容量：256Gb，即1008个块。 4. 性能： - NV-DDR2 I/O性能：支持NV-DDR2时序模式7，最大时钟速率为5ns，读写带宽可达400MT/s。 - 异步I/O性能：支持异步时序模式5，最小tRC/tWC为20ns，读写带宽为50MT/s。 - 阵列性能：包括快速读取（SnapRead，51μs典型值）、读取页面（76μs典型值）、有效编程页面时间（1120μs典型值）和擦除块时间（15ms典型值）。 5. 电压范围： - VCC：工作电压范围为2.7V至3.6V。 - VCCQ：I/O电源电压范围为1.7V至1.95V。 6. 命令集： - 遵循ONFI NAND闪存协议，并且包含一系列高级命令，如程序缓存、顺序读取缓存、随机读取缓存、一次性可编程（OTP）模式、多平面命令、多LUN操作、读取唯一ID、回写功能以及SLC模式。 这款NAND闪存芯片的这些特性使其适合于需要高速数据传输、高容量存储和可靠性的多媒体应用，如固态硬盘（SSD）、移动设备和嵌入式系统。其高效的读写性能和多种高级功能使得它在各种存储解决方案中具有竞争力。